时间：2025/9/7 12:46:11
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HM628512BLTT5是一款由HITACHI公司制造的高速静态随机存取存储器（SRAM），具有512Kbit的存储容量。这款SRAM采用先进的CMOS技术制造，提供高速数据访问和低功耗特性，适合用于需要高性能和低功耗的应用场景。HM628512BLTT5采用TSOP封装形式，适用于便携式设备和空间受限的应用。
存储容量：512Kbit
组织方式：64K x 8
电源电压：2.3V至3.6V
访问时间：55ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：54
功耗（最大）：180mA（工作模式），10mA（待机模式）
HM628512BLTT5 SRAM具有高速访问时间，仅为55ns，这使得它非常适合需要快速数据处理的应用。其CMOS设计提供了低功耗操作，延长了电池供电设备的使用时间。
该器件的工作电压范围为2.3V至3.6V，提供了灵活性，可以适应不同的电源供应环境。HM628512BLTT5具有宽广的工作温度范围，从-40°C到+85°C，确保了其在各种环境条件下的稳定性。
封装形式为54引脚TSOP，这种封装形式体积小巧，适合高密度PCB布局。此外，该SRAM还支持两种低功耗模式：待机模式和自动低功耗模式，进一步降低了功耗。
HM628512BLTT5 SRAM广泛应用于需要高性能和低功耗的领域。例如，它可以用在网络设备、通信模块、工业控制系统以及便携式电子设备中。在这些应用中，该SRAM能够提供快速的数据存储和访问能力，同时保持较低的能耗，有助于延长设备的电池寿命。
IS62WV5128BLL-55TFI, CY7C61549VZ
