时间：2025/7/10 2:25:43
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STB6NK90ZT4 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款 N 沟道功率 MOSFET。该器件主要应用于高效率、高频率的开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
STB6NK90ZT4 采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性，适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：6A
导通电阻（典型值）：1.7Ω
栅极电荷：38nC
输入电容：1150pF
功耗：25W
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
STB6NK90ZT4 具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：其 900V 的漏源击穿电压能够适应高压应用场景，如工业电源和太阳能逆变器。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为 1.7Ω，从而减少了传导损耗并提高了系统效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和输入电容使得器件能够实现快速开关，降低开关损耗。
4. 高可靠性：具备出色的雪崩能力和热稳定性，能够在恶劣环境下可靠运行。
5. 紧凑封装：采用 TO-220 封装形式，便于散热设计与安装。
6. 符合 RoHS 标准：材料环保，满足国际法规要求。
STB6NK90ZT4 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：适用于各种 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动：用于工业电机控制和家用电器中的电机驱动。
3. 太阳能逆变器：在可再生能源系统中提供高效的能量转换。
4. 电池管理系统（BMS）：用作负载开关或保护电路中的关键元件。
5. 电动车充电设备：支持高效率的充电过程。
6. 工业自动化设备：如 PLC 和伺服驱动器中的功率级组件。
STB6NK90Z, IRF840, BUZ11
