STB6NA80 时间：2025/7/22 8:04:39 阅读：5

STB6NA80 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高电压和高电流应用场景，具有优良的导通性能和开关特性，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、负载开关以及各种工业和汽车电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK（表面贴装）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.7Ω（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为30nC
　　功率耗散（Ptot）：125W

特性

STB6NA80 具有优异的导通和开关性能，适用于高效率功率转换系统。其800V的高耐压能力使其能够在高压电源应用中可靠工作，例如AC-DC电源适配器、离线式开关电源等。
　　该器件采用先进的MOSFET制造技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提高整体能效。此外，其较低的栅极电荷（Qg）也优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　STB6NA80 还具备良好的热稳定性，其封装设计有助于有效散热，确保在高电流和高功率应用中保持稳定工作。该器件支持TO-220和D2PAK两种封装形式，适用于不同的PCB布局需求，尤其是需要表面贴装的现代电子设计。
　　在可靠性方面，STB6NA80 设计用于工业和汽车环境，具有较高的抗冲击能力和长期工作稳定性，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于车载电源、电机控制和LED照明等应用。

应用

STB6NA80 主要应用于需要高压和中等电流控制的电子系统中。典型应用包括AC-DC开关电源、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动电路、工业自动化设备、LED照明驱动以及各种电源管理模块。
　　在电源管理方面，该器件可用于高效率的功率因数校正（PFC）电路和高压负载开关。在电机控制应用中，STB6NA80 可作为H桥电路中的开关元件，实现对直流电机或步进电机的高效控制。
　　此外，该MOSFET还可用于LED照明系统的恒流驱动方案，确保在不同输入电压条件下保持稳定的电流输出，提升LED灯具的寿命与性能。在消费类电子产品中，STB6NA80 也可用于高性能适配器和电源模块的设计。