制造商：Micron Technology
　　产品系列：DDR SDRAM
　　存储容量：64M x 16 (1 Gb)
　　电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度：0°C 至 +70°C（商业级）
　　封装类型：TSOP-II, 86-pin
　　速度等级：-75（7.5ns，对应133MHz / DDR-266）
　　数据速率：266 Mbps（MT/s）
　　组织结构：64 Megawords × 16 bits
　　刷新周期：64ms / 8192 rows
　　访问时间：7.5ns
　　输入/输出逻辑：LVTTL
　　时钟频率：133 MHz
　　预充电延迟（tRP）：2 cycles
　　行到列延迟（tRCD）：2 cycles
　　CAS等待时间（CL）：2或2.5 cycles

MT46V64M16P-75具备典型的DDR SDRAM功能特性，支持双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，显著提高了数据带宽利用率。其内部存储阵列为多个Bank结构，通常为4个Bank，允许在不同Bank之间快速切换，减少等待时间，提高并发访问效率。该芯片支持可编程突发长度（1、2、4、8）和突发类型（顺序或交错），用户可根据系统需求灵活配置，优化内存访问模式。此外，器件集成了自动刷新和自刷新功能，能够在正常运行时定期刷新以保持数据完整性，而在低功耗模式下进入自刷新状态，有效降低功耗，延长电池供电设备的使用时间。所有控制信号均在时钟的上升沿采样，确保与系统控制器精确同步。输入/输出接口采用LVTTL电平标准，兼容大多数3.3V逻辑系统。MT46V64M16P-75还支持部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh, PASR）功能，允许仅刷新关键数据区域，进一步节省能耗。其TSOP-II封装具有良好的热稳定性和电气性能，适合在密集布板环境中使用。为了保证信号完整性，器件内部设计有适当的驱动能力和终端匹配机制。在写入操作期间，支持数据屏蔽（DQM）信号，可用于控制I/O引脚的读写使能，防止不必要的数据写入或输出，提升系统可靠性。该芯片经过严格测试，符合JEDEC标准规范，确保与其他DDR内存控制器的良好互操作性。
　　此外，MT46V64M16P-75在上电初始化过程中需要遵循特定的时序流程，包括电源稳定、参考电压建立、时钟锁定以及一系列模式寄存器设置指令，以正确配置CAS延迟、突发长度等关键参数。这种标准化的初始化过程增强了系统的稳定性与兼容性。虽然该器件不支持现代的低电压标准（如DDR3L或LPDDR系列），但其在当时的市场中代表了高性能与高可靠性的结合，广泛用于路由器、交换机、工业计算机和多媒体设备中。其相对成熟的工艺和长期供货历史也使其成为许多工业客户首选的稳定解决方案之一。

MT46V64M16P-75主要应用于需要中等容量和稳定性能的嵌入式系统和通信设备中。典型应用场景包括网络基础设施设备，如以太网交换机、宽带路由器和DSL调制解调器，这些设备依赖其可靠的DDR性能来处理数据包转发和缓存任务。在工业自动化领域，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和远程I/O模块，提供实时数据存储和程序运行支持。消费类电子产品如数字机顶盒、DVD播放器和多功能打印机也广泛采用此型号作为主内存或帧缓冲存储器。此外，在医疗设备、测试仪器和POS终端等对长期供货和稳定性有较高要求的行业，MT46V64M16P-75因其成熟的技术和较低的故障率而受到青睐。由于其3.3V工作电压和TSOP封装，特别适合那些无法支持更先进低电压内存技术的旧平台升级或维修替换。在一些FPGA开发板或ASIC配套系统中，该芯片也被用作外部高速缓存，协助完成图像处理、协议解析等任务。尽管目前主流市场已转向更高密度和更低功耗的内存方案，但该器件仍在生命周期较长的产品维护中发挥重要作用。

MT46V64M16HY-75:B
　　MT46V64M16P-75:E
　　IS42S16100E-7BLI