STB60NF06LT4是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-277A封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适合用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他功率管理应用。其额定电压为60V,持续漏极电流可达60A。
STB60NF06LT4的设计重点在于降低导通电阻(Rds(on)),以提高效率并减少发热。同时,它还具备快速开关特性和良好的热性能,适用于要求高能效的应用场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:60A
导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:45nC(典型值)
总功耗:175W
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-277A
STB60NF06LT4是一款高性能的功率MOSFET,主要特点包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 高电流承载能力,使其能够满足大功率应用的需求。
3. 快速开关速度,可以减少开关损耗并在高频条件下表现良好。
4. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
5. 采用TO-277A封装,便于散热设计和PCB布局。
此外,该器件还具有较低的栅极电荷和输入电容,从而减少了驱动电路的复杂性。
STB60NF06LT4广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业设备中的功率转换和管理模块。
5. 各类电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
由于其出色的电气性能和可靠性,这款MOSFET特别适合需要高效率和高功率密度的设计。
STB60NF06L, IRFZ44N, FDP5800