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STB60NF06LT4 发布时间 时间:2025/6/6 18:55:27 查看 阅读:4

STB60NF06LT4是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-277A封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适合用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他功率管理应用。其额定电压为60V,持续漏极电流可达60A。
  STB60NF06LT4的设计重点在于降低导通电阻(Rds(on)),以提高效率并减少发热。同时,它还具备快速开关特性和良好的热性能,适用于要求高能效的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:60A
  导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:45nC(典型值)
  总功耗:175W
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-277A

特性

STB60NF06LT4是一款高性能的功率MOSFET,主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高整体效率。
  2. 高电流承载能力,使其能够满足大功率应用的需求。
  3. 快速开关速度,可以减少开关损耗并在高频条件下表现良好。
  4. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
  5. 采用TO-277A封装,便于散热设计和PCB布局。
  此外,该器件还具有较低的栅极电荷和输入电容,从而减少了驱动电路的复杂性。

应用

STB60NF06LT4广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  4. 工业设备中的功率转换和管理模块。
  5. 各类电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
  由于其出色的电气性能和可靠性,这款MOSFET特别适合需要高效率和高功率密度的设计。

替代型号

STB60NF06L, IRFZ44N, FDP5800

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STB60NF06LT4参数

  • 其它有关文件STB60NF06L View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs66nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-6554-6