时间：2025/6/6 18:55:15
阅读：5
STB60N06-14是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于各种开关电源、电机驱动、负载切换等应用场合。
这款MOSFET以其高效率和可靠性著称，适合在需要高效能功率管理的应用中使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：14A
导通电阻：0.085Ω
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：70W
工作温度范围：-55℃~150℃
STB60N06-14的主要特性包括：
1. 低导通电阻设计，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高击穿电压（60V），确保其能够在较宽的电压范围内稳定运行。
3. 较高的连续漏极电流能力（14A），适用于大电流应用环境。
4. 快速开关速度，可降低开关损耗。
5. 优异的热稳定性，使其能够在高温条件下保持性能。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
STB60N06-14广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. 直流-直流转换器中的高频开关元件。
3. 各类电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机等。
4. 负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
STB60NF06L, IRFZ44N, FQP17N06
