STB60N06-14是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于各种开关电源、电机驱动、负载切换等应用场合。
这款MOSFET以其高效率和可靠性著称,适合在需要高效能功率管理的应用中使用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:14A
导通电阻:0.085Ω
栅极阈值电压:2V~4V
总功耗:70W
工作温度范围:-55℃~150℃
STB60N06-14的主要特性包括:
1. 低导通电阻设计,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高击穿电压(60V),确保其能够在较宽的电压范围内稳定运行。
3. 较高的连续漏极电流能力(14A),适用于大电流应用环境。
4. 快速开关速度,可降低开关损耗。
5. 优异的热稳定性,使其能够在高温条件下保持性能。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
STB60N06-14广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. 直流-直流转换器中的高频开关元件。
3. 各类电机驱动电路,如步进电机、无刷直流电机等。
4. 负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
STB60NF06L, IRFZ44N, FQP17N06