您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BC846BDW1T1G

BC846BDW1T1G 发布时间 时间:2022/12/20 17:30:15 查看 阅读:773

    类型:NPN/NPN

    集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65

    集电极最大电流Ic(max)(mA):100

   


目录

概述

    类型:NPN/NPN

    集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65

    集电极最大电流Ic(max)(mA):100

    直流电流增益hFE最小值(dB):200

    直流电流增益hFE最大值(dB):450

    最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100

    封装/温度(℃):SOT-363/-55~150


资料

厂商
ON Semiconductor

BC846BDW1T1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BC846BDW1T1G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

BC846BDW1T1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)65V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大380mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC846BDW1T1G-NDBC846BDW1T1GOSTR