BC846BDW1T1G
时间:2022/12/20 17:30:15
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类型:NPN/NPN
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65
集电极最大电流Ic(max)(mA):100
概述
类型:NPN/NPN
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65
集电极最大电流Ic(max)(mA):100
直流电流增益hFE最小值(dB):200
直流电流增益hFE最大值(dB):450
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):SOT-363/-55~150
BC846BDW1T1G参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 阵列
- 系列-
- 晶体管类型2 NPN(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)65V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大)-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
- 功率 - 最大380mW
- 频率 - 转换100MHz
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装SOT-363
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称BC846BDW1T1G-NDBC846BDW1T1GOSTR