STB5NB60 时间：2025/7/23 13:50:56 阅读：9

STB5NB60 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET，适用于高电压、高频率的开关应用。该器件采用先进的StripFET?技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。STB5NB60通常用于电源转换器、DC-AC逆变器、马达控制、充电电路以及各种电源管理应用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）@25℃：4.3A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：TO-220FP
　　功率耗散（PD）：50W
　　栅极电荷（Qg）：27nC @ VGS=10V

特性

STB5NB60具备优异的导通和开关性能，采用STMicroelectronics的StripFET?技术，显著降低了导通电阻，提高了电流处理能力。其1.2Ω的RDS(on)使其在高频开关应用中具有较低的功耗，从而提升了整体效率。
　　此外，该MOSFET具有高耐压能力，额定漏源电压为600V，适合用于高压电源系统。栅极电荷较低（27nC），有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。
　　该器件的工作温度范围较宽（-55℃至+150℃），适合在各种环境条件下使用，并且具有良好的热稳定性和可靠性。
　　TO-220FP封装形式具备良好的散热性能，适合用于高功率应用，同时便于安装和散热设计。

应用

STB5NB60广泛应用于各种电源管理系统，如AC-DC转换器、DC-DC转换器、马达驱动、UPS（不间断电源）、LED照明电源、光伏逆变器以及家用电器中的功率控制电路。其高电压耐受能力和低导通电阻特性，使其在需要高效率和小体积设计的场合尤为适用。
　　在开关电源（SMPS）中，STB5NB60可用于构建高频率转换器，提升能效并减小变压器和电感的体积。在逆变器和马达驱动应用中，该MOSFET能够提供稳定的开关性能，减少开关损耗，提高系统响应速度。
　　由于其良好的热特性和可靠性，该器件也常用于工业自动化设备、电源适配器及充电器等应用中。