时间：2025/8/28 9:25:43
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PQ1R27 是一款由罗姆（Rohm）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率、高功率密度的电源转换系统中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，能够在高电流下实现较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统效率。PQ1R27适用于各种电源应用，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制设备等。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ（最大值，Vgs=10V时）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220AB
极数：3（漏极、栅极、源极）
PQ1R27 的设计旨在满足现代高效率电源系统的需求。其低导通电阻（Rds(on)）使得在大电流应用中能够显著降低传导损耗，从而提高整体效率并减少散热需求。该器件支持高达80A的连续漏极电流，在高温环境下仍能保持稳定运行。PQ1R27 采用 TO-220AB 封装，具有良好的热性能和机械强度，适用于各种工业和消费类电子设备。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准的10V和12V栅极驱动器，便于集成到现有电源系统中。其高雪崩能量耐受能力增强了器件在突发高电压情况下的可靠性，防止因电压尖峰而损坏。此外，PQ1R27具有较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，从而在高频开关应用中保持高效率。
该器件的封装设计确保了良好的散热性能，即使在高负载条件下也能维持较低的结温，延长器件寿命并提高系统稳定性。其工作温度范围广泛，从-55℃到150℃，适合在严苛的环境条件下使用。PQ1R27还具备优异的短路耐受能力，使其在突发故障情况下也能保持稳定运行，从而提高整个系统的可靠性。
PQ1R27 主要用于需要高电流和低导通电阻的电源转换系统中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器、服务器电源、工业自动化设备以及高功率密度电源模块等。该器件的高效率和高可靠性使其成为许多高性能电源解决方案的理想选择。
Si7461DP-T1-GE3, IPB080N03L G, FDS6680, SQJ400EP
