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STB36NM60ND 发布时间 时间:2025/7/22 23:00:49 查看 阅读:10

STB36NM60ND是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的技术,具备高耐压、低导通电阻和高电流容量等特点,适用于如电源转换器、电机控制、开关电源(SMPS)等要求苛刻的工业和汽车应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  漏极电流(Id):36A
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω
  栅极电压(Vgs):±20V
  功率耗散(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

STB36NM60ND具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其600V的高耐压能力使其能够承受较大的电压应力,适用于高压电源转换系统。其次,低导通电阻(Rds(on))仅为0.15Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET支持高达36A的漏极电流,能够处理较大的负载,适用于高功率密度设计。器件还具备良好的热稳定性,125W的功率耗散能力确保其在高温环境下仍能稳定运行。TO-220封装形式便于安装和散热管理,适用于多种工业和汽车应用。最后,该器件的工作温度范围宽广(-55°C至150°C),适应性强,可在恶劣环境中稳定工作。

应用

STB36NM60ND广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS系统、工业自动化设备、照明控制系统以及电动汽车充电系统等。由于其具备高电压和大电流处理能力,该器件在需要高效能功率转换的场合中表现出色。例如,在SMPS中,STB36NM60ND可以用于主开关或同步整流电路,以提高电源效率;在电机驱动器中,它可以作为功率开关元件,实现对电机的高效控制;在电动汽车充电系统中,该MOSFET可用于高压DC-DC转换模块,确保充电过程的高效与稳定。

替代型号

STP36NM60ND, IRFGB40N60HD, FDP36N60EH

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STB36NM60ND参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥51.99000剪切带(CT)1,000 : ¥27.48512卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, FDmesh? II
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)29A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)110 毫欧 @ 14.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)80.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2785 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)190W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK(TO-263)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB