STB36NM60ND是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的技术,具备高耐压、低导通电阻和高电流容量等特点,适用于如电源转换器、电机控制、开关电源(SMPS)等要求苛刻的工业和汽车应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
漏极电流(Id):36A
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω
栅极电压(Vgs):±20V
功率耗散(Ptot):125W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
STB36NM60ND具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其600V的高耐压能力使其能够承受较大的电压应力,适用于高压电源转换系统。其次,低导通电阻(Rds(on))仅为0.15Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET支持高达36A的漏极电流,能够处理较大的负载,适用于高功率密度设计。器件还具备良好的热稳定性,125W的功率耗散能力确保其在高温环境下仍能稳定运行。TO-220封装形式便于安装和散热管理,适用于多种工业和汽车应用。最后,该器件的工作温度范围宽广(-55°C至150°C),适应性强,可在恶劣环境中稳定工作。
STB36NM60ND广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS系统、工业自动化设备、照明控制系统以及电动汽车充电系统等。由于其具备高电压和大电流处理能力,该器件在需要高效能功率转换的场合中表现出色。例如,在SMPS中,STB36NM60ND可以用于主开关或同步整流电路,以提高电源效率;在电机驱动器中,它可以作为功率开关元件,实现对电机的高效控制;在电动汽车充电系统中,该MOSFET可用于高压DC-DC转换模块,确保充电过程的高效与稳定。
STP36NM60ND, IRFGB40N60HD, FDP36N60EH