时间：2025/7/22 23:00:49
阅读：10
STB36NM60ND是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的技术，具备高耐压、低导通电阻和高电流容量等特点，适用于如电源转换器、电机控制、开关电源（SMPS）等要求苛刻的工业和汽车应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：36A
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Ptot）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
STB36NM60ND具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其600V的高耐压能力使其能够承受较大的电压应力，适用于高压电源转换系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）仅为0.15Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET支持高达36A的漏极电流，能够处理较大的负载，适用于高功率密度设计。器件还具备良好的热稳定性，125W的功率耗散能力确保其在高温环境下仍能稳定运行。TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于多种工业和汽车应用。最后，该器件的工作温度范围宽广（-55°C至150°C），适应性强，可在恶劣环境中稳定工作。
STB36NM60ND广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS系统、工业自动化设备、照明控制系统以及电动汽车充电系统等。由于其具备高电压和大电流处理能力，该器件在需要高效能功率转换的场合中表现出色。例如，在SMPS中，STB36NM60ND可以用于主开关或同步整流电路，以提高电源效率；在电机驱动器中，它可以作为功率开关元件，实现对电机的高效控制；在电动汽车充电系统中，该MOSFET可用于高压DC-DC转换模块，确保充电过程的高效与稳定。
STP36NM60ND, IRFGB40N60HD, FDP36N60EH
