时间：2025/7/22 16:18:38
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STB35N65DM2 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的超结（Super Junction）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能。该器件广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路、太阳能逆变器和电机驱动等高功率应用。STB35N65DM2 的最大漏极电压为650V，连续漏极电流可达35A，适合用于高效率、高密度电源系统。
型号：STB35N65DM2
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：650V
最大漏极电流（ID）：35A
导通电阻（Rds(on)）：约0.14Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：85nC（典型）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
STB35N65DM2 采用ST的MDmesh DM2技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，提高了整体能效。其低Rds(on)值确保了在高负载下仍能保持较低的功率损耗，从而减少散热设计的复杂性。此外，该MOSFET具有优异的雪崩能量承受能力，提升了系统的可靠性和耐用性。
该器件的栅极驱动电压范围宽，适用于多种驱动电路设计。其封装形式（TO-247）具有良好的热性能和机械稳定性，便于散热器安装和使用。STB35N65DM2还具备较低的内部电容（如输入电容Ciss、输出电容Coss），使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关过程中的能量损耗。
在封装和工艺方面，STB35N65DM2经过优化设计，确保在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，适用于各种严苛的工业和汽车电子应用场景。
STB35N65DM2 常用于高性能电源系统中，如服务器电源、电信电源、工业电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器、PFC（功率因数校正）电路、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机控制以及电动汽车充电设备等。由于其高效率和高可靠性，该MOSFET也广泛应用于高功率密度电源模块和节能型开关电源系统中。
STF35N65DM2、STP35N65DM2、IPW65R014CFD7、FCH072N65S3
