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STB35N65DM2 发布时间 时间:2025/7/22 16:18:38 查看 阅读:6

STB35N65DM2 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道功率MOSFET,采用先进的超结(Super Junction)技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关性能。该器件广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、PFC(功率因数校正)电路、太阳能逆变器和电机驱动等高功率应用。STB35N65DM2 的最大漏极电压为650V,连续漏极电流可达35A,适合用于高效率、高密度电源系统。

参数

型号:STB35N65DM2
  类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):650V
  最大漏极电流(ID):35A
  导通电阻(Rds(on)):约0.14Ω(典型值)
  栅极电荷(Qg):85nC(典型)
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-247

特性

STB35N65DM2 采用ST的MDmesh DM2技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,提高了整体能效。其低Rds(on)值确保了在高负载下仍能保持较低的功率损耗,从而减少散热设计的复杂性。此外,该MOSFET具有优异的雪崩能量承受能力,提升了系统的可靠性和耐用性。
  该器件的栅极驱动电压范围宽,适用于多种驱动电路设计。其封装形式(TO-247)具有良好的热性能和机械稳定性,便于散热器安装和使用。STB35N65DM2还具备较低的内部电容(如输入电容Ciss、输出电容Coss),使其在高频开关应用中表现优异,减少了开关过程中的能量损耗。
  在封装和工艺方面,STB35N65DM2经过优化设计,确保在高温环境下仍能保持稳定的工作性能,适用于各种严苛的工业和汽车电子应用场景。

应用

STB35N65DM2 常用于高性能电源系统中,如服务器电源、电信电源、工业电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器、PFC(功率因数校正)电路、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机控制以及电动汽车充电设备等。由于其高效率和高可靠性,该MOSFET也广泛应用于高功率密度电源模块和节能型开关电源系统中。

替代型号

STF35N65DM2、STP35N65DM2、IPW65R014CFD7、FCH072N65S3

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STB35N65DM2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥54.85000剪切带(CT)1,000 : ¥28.97398卷带(TR)
  • 系列MDmesh? M2
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)110 毫欧 @ 14A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)54 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2400 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)210W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB