STB35N65DM2 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道功率MOSFET,采用先进的超结(Super Junction)技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关性能。该器件广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、PFC(功率因数校正)电路、太阳能逆变器和电机驱动等高功率应用。STB35N65DM2 的最大漏极电压为650V,连续漏极电流可达35A,适合用于高效率、高密度电源系统。
型号:STB35N65DM2
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(VDSS):650V
最大漏极电流(ID):35A
导通电阻(Rds(on)):约0.14Ω(典型值)
栅极电荷(Qg):85nC(典型)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-247
STB35N65DM2 采用ST的MDmesh DM2技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,提高了整体能效。其低Rds(on)值确保了在高负载下仍能保持较低的功率损耗,从而减少散热设计的复杂性。此外,该MOSFET具有优异的雪崩能量承受能力,提升了系统的可靠性和耐用性。
该器件的栅极驱动电压范围宽,适用于多种驱动电路设计。其封装形式(TO-247)具有良好的热性能和机械稳定性,便于散热器安装和使用。STB35N65DM2还具备较低的内部电容(如输入电容Ciss、输出电容Coss),使其在高频开关应用中表现优异,减少了开关过程中的能量损耗。
在封装和工艺方面,STB35N65DM2经过优化设计,确保在高温环境下仍能保持稳定的工作性能,适用于各种严苛的工业和汽车电子应用场景。
STB35N65DM2 常用于高性能电源系统中,如服务器电源、电信电源、工业电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器、PFC(功率因数校正)电路、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机控制以及电动汽车充电设备等。由于其高效率和高可靠性,该MOSFET也广泛应用于高功率密度电源模块和节能型开关电源系统中。
STF35N65DM2、STP35N65DM2、IPW65R014CFD7、FCH072N65S3