时间：2025/6/13 12:55:16
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STB30NF10T4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用，例如DC-DC转换器、电机驱动、开关电源等。其封装形式为TO-220 FullPAK，具备良好的散热性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：5.8mΩ
栅极电荷：39nC
输入电容：1600pF
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-220 FullPAK
STB30NF10T4采用了先进的Trench MOSFET技术，从而实现了较低的导通电阻和较高的电流处理能力。这种设计使其在功率转换应用中能够显著降低传导损耗，提高效率。
该器件还具有快速开关性能，有助于减少开关损耗并提升整体系统效率。
此外，STB30NF10T4的工作结温范围宽广，能够在极端温度条件下稳定运行，适合工业及汽车级应用。
由于其采用TO-220 FullPAK封装，因此具备优异的散热性能，便于进行高效的热管理。
STB30NF10T4主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 电池管理系统
5. 工业控制设备
6. 汽车电子系统中的负载切换与保护
这些应用场景均需要高效、可靠的功率转换或控制功能，而STB30NF10T4凭借其出色的性能参数和稳定性，成为理想选择。
STB40NF10T4, IRFZ44N, FDP5570
