时间：2025/7/22 16:16:15
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STB28N60M2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高电压、高电流应用设计，适用于开关电源（SMPS）、电机驱动、DC-DC转换器以及各种高功率电子系统。STB28N60M2采用了先进的MESH OVERLAY技术，提高了导通性能和开关效率，同时降低了导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），从而减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：28A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：53nC（典型值）
封装形式：TO-220
STB28N60M2具有多个优异的电气和热性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该MOSFET采用了STMicroelectronics的专有MESH OVERLAY技术，优化了器件的导通损耗和开关损耗之间的平衡，使其在高频开关应用中依然保持高效运行。
其次，STB28N60M2的导通电阻RDS(on)仅为0.22Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体效率。此外，其较低的栅极电荷（Qg）也减少了驱动电路的负担，提高了响应速度，使其适用于高频开关环境。
在热管理方面，TO-220封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。该器件还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在突发负载或开关瞬态条件下的可靠性。
STB28N60M2的栅源电压范围为±30V，提供了更高的驱动灵活性，并具备良好的抗过压能力，适用于各种复杂电源环境下的应用。此外，该MOSFET具有良好的短路耐受能力，进一步增强了其在工业级应用中的稳定性。
STB28N60M2广泛应用于各类高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备。其高电压和高电流承载能力使其成为交流-直流电源转换器、电源适配器和LED照明驱动器中的理想选择。
在开关电源中，STB28N60M2可用于主开关元件，以实现高效的能量转换。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频变换器中表现优异，有助于减小电源体积并提高功率密度。
在电机控制和驱动应用中，该MOSFET可作为H桥电路中的开关元件，提供快速响应和稳定的功率输出，适用于无刷直流电机（BLDC）和伺服电机控制。
此外，STB28N60M2还可用于太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电模块中，满足高可靠性和高效率的要求。
STF28N60DM2, FQA28N60, IRFGB40N60B
