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STB28N60M2 发布时间 时间:2025/7/22 16:16:15 查看 阅读:3

STB28N60M2 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高电压、高电流应用设计,适用于开关电源(SMPS)、电机驱动、DC-DC转换器以及各种高功率电子系统。STB28N60M2采用了先进的MESH OVERLAY技术,提高了导通性能和开关效率,同时降低了导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),从而减少了开关损耗,提高了整体系统效率。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):28A
  最大漏源电压(VDS):600V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):0.22Ω(典型值)
  栅极电荷(Qg):53nC(典型值)
  封装形式:TO-220

特性

STB28N60M2具有多个优异的电气和热性能特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,该MOSFET采用了STMicroelectronics的专有MESH OVERLAY技术,优化了器件的导通损耗和开关损耗之间的平衡,使其在高频开关应用中依然保持高效运行。
  其次,STB28N60M2的导通电阻RDS(on)仅为0.22Ω,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提升了系统的整体效率。此外,其较低的栅极电荷(Qg)也减少了驱动电路的负担,提高了响应速度,使其适用于高频开关环境。
  在热管理方面,TO-220封装提供了良好的散热性能,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。该器件还具备高雪崩能量耐受能力,增强了在突发负载或开关瞬态条件下的可靠性。
  STB28N60M2的栅源电压范围为±30V,提供了更高的驱动灵活性,并具备良好的抗过压能力,适用于各种复杂电源环境下的应用。此外,该MOSFET具有良好的短路耐受能力,进一步增强了其在工业级应用中的稳定性。

应用

STB28N60M2广泛应用于各类高功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备。其高电压和高电流承载能力使其成为交流-直流电源转换器、电源适配器和LED照明驱动器中的理想选择。
  在开关电源中,STB28N60M2可用于主开关元件,以实现高效的能量转换。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频变换器中表现优异,有助于减小电源体积并提高功率密度。
  在电机控制和驱动应用中,该MOSFET可作为H桥电路中的开关元件,提供快速响应和稳定的功率输出,适用于无刷直流电机(BLDC)和伺服电机控制。
  此外,STB28N60M2还可用于太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电模块中,满足高可靠性和高效率的要求。

替代型号

STF28N60DM2, FQA28N60, IRFGB40N60B

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STB28N60M2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥30.13000剪切带(CT)1,000 : ¥15.91213卷带(TR)
  • 系列MDmesh? II Plus
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)150 毫欧 @ 11A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)36 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1440 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)170W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK(TO-263)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB