STB25NM60ND 时间：2025/7/23 16:11:22 阅读：7

STB25NM60ND是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件适用于高电压、高电流的应用场合，具备良好的热稳定性和导通性能，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关、照明系统等电力电子应用中。STB25NM60ND采用TO-220封装，具有内建的快速恢复二极管（FRD），可以有效减少外部元件数量并提升系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：25A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω @ Vgs = 10V
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

STB25NM60ND具备多项优异特性，适用于高要求的功率转换应用。其主要特性包括：
　　1. 高电压与大电流能力：最大漏源电压达到600V，漏极电流可达25A，适用于高压电源转换器、功率因数校正（PFC）电路等需要高耐压和大电流的场合。
　　2. 低导通电阻：导通电阻Rds(on)仅为0.22Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率，并减少发热，提高整体系统的稳定性。
　　3. 内建快速恢复二极管（FRD）：该器件集成了一个快速恢复二极管，可减少外部元件数量，简化电路设计，并提高整体系统的可靠性和效率。
　　4. 优良的热性能：采用TO-220封装，具有良好的散热能力，适用于高功率密度设计，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　5. 高可靠性：该MOSFET经过严格测试，具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，适合用于工业控制、电源供应器和照明系统等对可靠性要求较高的应用。
　　6. 宽栅极电压范围：允许栅极电压在±30V范围内工作，具有较强的抗干扰能力和稳定性，适用于各种驱动电路设计。

应用

STB25NM60ND广泛应用于多种电力电子系统中，包括：
　　1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）模块等，提供高效的功率转换能力。
　　2. 工业自动化：适用于工业控制设备、变频器、伺服驱动器等场合，作为功率开关使用。
　　3. 电动工具与家电：用于电动工具、电风扇、洗衣机等家电设备中的电机控制电路，提供高效的功率调节能力。
　　4. LED照明：在LED驱动电源中作为主开关器件，实现高效的恒流输出和调光功能。
　　5. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED前照灯驱动、车载充电器等应用场景。
　　6. 太阳能逆变器与储能系统：用于光伏逆变器和储能系统的功率转换部分，提升能量转换效率。