IKQ50N120CH3是由英飞凌(Infineon)生产的一款MOSFET功率晶体管,属于CoolMOS C7系列。该系列器件采用先进的超结技术,能够提供较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他高效率功率转换应用。
这款器件在设计上注重降低损耗,提高系统效率,并具有出色的热性能,有助于简化散热设计,从而减少整体系统的体积和成本。
最大漏源电压:1200V
最大连续漏电流:50A
导通电阻(典型值):95mΩ
栅极电荷(典型值):86nC
输入电容:410pF
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:D2PAK(TO-263)
IKQ50N120CH3具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻与优化的开关损耗相结合,能够在高频操作中保持高效性能。
2. 出色的热稳定性,即使在高温环境下也能保证可靠性。
3. 采用了CoolMOS技术,显著降低了反向恢复电荷(Qrr),有助于减小开关节点的振荡。
4. 具有快速开关能力,适合硬开关和软开关拓扑结构。
5. 内置ESD保护功能,提高了器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
7. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
IKQ50N120CH3广泛应用于各种功率转换场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器、工业电源等。
2. 电机驱动电路,用于控制交流或直流电机的速度和方向。
3. 逆变器和不间断电源(UPS)系统中的功率级开关。
4. DC-DC转换器,特别是在电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统中。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备中的功率转换模块。
6. 各种工业自动化设备和消费类电子产品的功率管理单元。
IKQ50R120CH3, IKW50N120H5, IPW50R120C7_L08