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STB24N60M6 发布时间 时间:2025/5/29 9:06:11 查看 阅读:11

STB24N60M6 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沃型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了先进的制造工艺,具有高耐压、低导通电阻和快速开关能力等特性,适用于多种工业和消费类应用。STB24N60M6 的额定电压为 600V,能够承受较大的漏源极电压,同时其导通电阻较低,可有效减少功率损耗。
  这款 MOSFET 主要应用于需要高效能开关的场合,例如电源管理电路、电机驱动器、逆变器和 DC-DC 转换器等。由于其良好的热特性和可靠性,STB24N60M6 在高性能要求的应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏电流:24A
  导通电阻(Rds(on)):130mΩ
  栅极电荷:75nC
  总电容(Ciss):1800pF
  最大功耗:360W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-247

特性

STB24N60M6 具备以下显著特性:
  1. 高耐压性能:其 600V 的漏源极击穿电压使其适用于高压环境下的各种应用。
  2. 低导通电阻:仅为 130mΩ,这有助于降低导通状态下的功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关速度:较小的栅极电荷(75nC)保证了快速的开关动作,从而减少了开关损耗。
  4. 高电流处理能力:连续漏电流高达 24A,适合大电流负载应用。
  5. 稳定性:能够在宽温度范围内正常工作,适应各种恶劣的工作条件。
  6. 封装可靠:采用 TO-247 封装,提供良好的散热性能和机械强度。

应用

STB24N60M6 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
  2. 电机控制:作为电机驱动电路中的功率级元件,用于控制电机的速度和方向。
  3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中用作高效的功率开关。
  4. 工业设备:如焊接设备、UPS 系统以及其他需要高电压和大电流处理能力的设备。
  5. 消费类电子产品:包括笔记本电脑适配器、电视电源等对效率和稳定性有较高要求的产品。

替代型号

STB24N60E6
  IRFB240N60DPBF
  FDMT24060Z

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STB24N60M6参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥24.41000剪切带(CT)1,000 : ¥12.88425卷带(TR)
  • 系列MDmesh? M6
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)190 毫欧 @ 8.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.75V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)23 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)960 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)130W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB