STB24N60M6 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沃型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了先进的制造工艺,具有高耐压、低导通电阻和快速开关能力等特性,适用于多种工业和消费类应用。STB24N60M6 的额定电压为 600V,能够承受较大的漏源极电压,同时其导通电阻较低,可有效减少功率损耗。
这款 MOSFET 主要应用于需要高效能开关的场合,例如电源管理电路、电机驱动器、逆变器和 DC-DC 转换器等。由于其良好的热特性和可靠性,STB24N60M6 在高性能要求的应用中表现出色。
最大漏源电压:600V
连续漏电流:24A
导通电阻(Rds(on)):130mΩ
栅极电荷:75nC
总电容(Ciss):1800pF
最大功耗:360W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247
STB24N60M6 具备以下显著特性:
1. 高耐压性能:其 600V 的漏源极击穿电压使其适用于高压环境下的各种应用。
2. 低导通电阻:仅为 130mΩ,这有助于降低导通状态下的功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度:较小的栅极电荷(75nC)保证了快速的开关动作,从而减少了开关损耗。
4. 高电流处理能力:连续漏电流高达 24A,适合大电流负载应用。
5. 稳定性:能够在宽温度范围内正常工作,适应各种恶劣的工作条件。
6. 封装可靠:采用 TO-247 封装,提供良好的散热性能和机械强度。
STB24N60M6 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电机控制:作为电机驱动电路中的功率级元件,用于控制电机的速度和方向。
3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中用作高效的功率开关。
4. 工业设备:如焊接设备、UPS 系统以及其他需要高电压和大电流处理能力的设备。
5. 消费类电子产品:包括笔记本电脑适配器、电视电源等对效率和稳定性有较高要求的产品。
STB24N60E6
IRFB240N60DPBF
FDMT24060Z