时间：2025/7/18 23:21:43
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AP04N20GK-HF 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor（AOS）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等领域。该器件采用先进的SGT（Shielded Gate Trench）技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于高效率和高功率密度的系统设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
最大漏极-源极电压（VDS）：200V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.2Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 3V
最大功耗（PD）：25W
封装形式：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
AP04N20GK-HF 采用先进的屏蔽栅沟槽（SGT）技术，显著降低了导通电阻和开关损耗，从而提升了整体效率。其1.2Ω的Rds(on)在200V电压等级下表现优异，有助于减少功率损耗和热生成。
该器件的栅极阈值电压范围适中（1V至3V），确保了良好的栅极驱动兼容性，适用于多种控制IC和驱动电路。同时，其低栅极电荷（Qg）设计降低了开关过程中的能量消耗，使得在高频应用中依然保持高效率。
此外，AP04N20GK-HF具有优异的热稳定性，封装形式为TO-252（DPAK），便于安装和散热管理，适合在紧凑型电源系统中使用。其高雪崩能量耐受能力和强大的短路保护性能，使其在严苛的工作环境下依然保持稳定运行。
该MOSFET符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于现代绿色电子产品的设计要求。
AP04N20GK-HF 主要用于中高功率的电源管理系统，包括但不限于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高效率和良好的热管理能力，它也常被用于消费类电子产品如笔记本电脑、平板电脑以及智能家电的电源管理单元中。
在电信设备和服务器电源系统中，该器件被广泛用于高效能电源供应器的设计，以满足高可靠性及高能效的要求。此外，在新能源应用如光伏逆变器和电动车充电模块中，AP04N20GK-HF 也因其稳定性和高耐压能力而受到青睐。
AP04N20GHK, AP04N20G, SiHF20N04, FDS4410
