时间：2025/5/10 14:34:28
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STB200NF04T4是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于各种需要高效率和低导通电阻的开关应用。它具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合用于电机驱动、电源转换、负载切换以及电池管理等场景。
STB200NF04T4的设计注重提高系统效率和可靠性，同时支持高频开关操作，非常适合现代电子设备中对能源效率和小型化的需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：200A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷：85nC
总功耗：170W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
STB200NF04T4具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在满载条件下可以有效减少功率损耗。
2. 较高的电流承载能力，能够满足大功率应用需求。
3. 支持高频开关操作，适合用于开关电源和DC-DC转换器。
4. 高效散热设计，确保长时间稳定运行。
5. 良好的短路耐受能力，提升系统的可靠性和安全性。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代化生产要求。
STB200NF04T4广泛应用于多种领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机控制和驱动
4. 汽车电子中的负载切换
5. 工业自动化设备
6. 大功率LED驱动器
7. 电池管理系统（BMS）
8. 充电器及适配器设计
IRFZ44N
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