时间：2025/7/23 9:11:26
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STB200N4F3是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高功率N沟道MOSFET晶体管，适用于各种高电流和高电压应用，如电源转换器、电机驱动器和工业控制系统。该器件采用先进的技术，提供优异的导通电阻和高效率，有助于降低系统损耗并提高整体性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：200A（Tc=25°C）
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.8mΩ（在VGS=10V）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
STB200N4F3 MOSFET具有极低的导通电阻，使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高系统的整体效率。
该器件采用了先进的PowerFLAT封装技术，具有出色的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
其高电流承受能力和低导通电阻特性使其成为高功率应用的理想选择，如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路。
此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬时过载条件，确保系统在极端情况下的稳定性。
由于其优异的电气特性和热管理能力，STB200N4F3非常适合用于工业自动化设备、汽车电子系统和高功率电源模块中。
STB200N4F3广泛应用于电源管理系统，如高效DC-DC转换器和负载开关电路。
在电机控制和驱动器设计中，该MOSFET可用于实现高性能H桥驱动和PWM控制。
此外，它还适用于工业自动化设备中的高功率开关电路和电源分配系统。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS）等关键应用。
由于其卓越的热性能和高可靠性，STB200N4F3也可用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等能源转换系统。
STB200N4F3AG, STB200N4F3-DS, STB200N4F3-AP, IRFP4468PbF
