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IXFX120N25P 发布时间 时间：2023/3/6 14:16:40 查看 阅读：345

    类别：分离式半导体产品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 单

    系列：PolarHT?

   

目录

概述

    类别：分离式半导体产品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 单

    系列：PolarHT?

    FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 特点：标准型

    开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：24 毫欧 @ 500mA, 10V

    漏极至源极电压(Vdss)：250V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：120A

    Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 4mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs：185nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：8000pF @ 25V

    功率 - 最大：700W

    安装类型：通孔

    封装/外壳：PLUS247?-3

    包装：管件

    供应商设备封装：*



资料

厂商
IXYS

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IXFX120N25P参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHT™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 60A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs185nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds8000pF @ 25V
  • 功率 - 最大700W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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