STB19NB20T4 时间：2025/7/23 9:12:13 阅读：13

STB19NB20T4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式栅极技术，具有低导通电阻和优异的热性能。该器件特别适用于高电流和高功率应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。该MOSFET封装为TO-220AB，具有良好的散热性能，适合需要高效能和可靠性的工业和汽车应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：19A
　　导通电阻(Rds(on))：0.14Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

STB19NB20T4具有多个显著特性，确保其在各种应用中的高效性能和可靠性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在高电流条件下导通损耗显著降低，从而提高整体能效。其次，该器件采用先进的沟槽式栅极技术，优化了导通和开关性能，减少开关损耗。
　　此外，STB19NB20T4具有较高的热稳定性，能够在恶劣的温度环境下运行。其TO-220AB封装提供了良好的散热能力，使得该MOSFET能够承受较高的功耗而不至于过热损坏。该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作。
　　在应用方面，STB19NB20T4适用于多种高功率和高电流场合，例如直流电源转换、电机驱动、电池管理系统和负载开关等。其出色的性能使其成为工业控制、汽车电子和电源管理系统中的理想选择。

应用

STB19NB20T4主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电源管理模块以及工业自动化设备中的负载开关。此外，该MOSFET也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统等。其高耐压和低导通电阻特性使其在高功率应用中表现出色，确保系统运行的稳定性和效率。