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RUR040N02TL 发布时间 时间:2025/6/5 21:56:56 查看 阅读:31

RUR040N02TL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的半导体制造工艺。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其封装形式为 TO-263(DPAK),能够提供良好的散热性能。
  该 MOSFET 的最大额定电压为 200V,非常适合于高压应用环境。同时,其优化的导通电阻和快速开关特性使其成为电源管理、电机驱动以及各种工业控制应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻(典型值):150mΩ
  栅极电荷(典型值):13nC
  总电容(输入电容):480pF
  工作结温范围:-55℃ to 175℃
  封装形式:TO-263(DPAK)

特性

RUR040N02TL 具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压:200V,确保在高压条件下的稳定运行。
  2. 极低的导通电阻:在特定条件下,导通电阻仅为 150mΩ,从而减少传导损耗并提高效率。
  3. 快速开关能力:较小的栅极电荷和总电容使其能够实现高速开关操作,适用于高频应用。
  4. 高可靠性:通过严格的测试和筛选流程,保证器件在极端温度范围内的稳定性。
  5. 良好的热性能:采用 TO-263 封装,有助于更有效地散发热量,延长使用寿命。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

RUR040N02TL 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
  3. 工业设备中的电机驱动和逆变器。
  4. 家用电器中的电磁炉、洗衣机等产品。
  5. 照明系统,如 LED 驱动器。
  6. 各类电池充电器及保护电路。
  由于其高耐压能力和低导通电阻,该器件特别适合需要高效能与可靠性的高压开关应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP047N06L

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RUR040N02TL参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds680pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TSMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称RUR040N02TLTR