时间：2025/6/5 21:56:56
阅读：7
RUR040N02TL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其封装形式为 TO-263（DPAK），能够提供良好的散热性能。
该 MOSFET 的最大额定电压为 200V，非常适合于高压应用环境。同时，其优化的导通电阻和快速开关特性使其成为电源管理、电机驱动以及各种工业控制应用的理想选择。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：4A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷（典型值）：13nC
总电容（输入电容）：480pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-263（DPAK）
RUR040N02TL 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：200V，确保在高压条件下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻：在特定条件下，导通电阻仅为 150mΩ，从而减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关能力：较小的栅极电荷和总电容使其能够实现高速开关操作，适用于高频应用。
4. 高可靠性：通过严格的测试和筛选流程，保证器件在极端温度范围内的稳定性。
5. 良好的热性能：采用 TO-263 封装，有助于更有效地散发热量，延长使用寿命。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
RUR040N02TL 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 工业设备中的电机驱动和逆变器。
4. 家用电器中的电磁炉、洗衣机等产品。
5. 照明系统，如 LED 驱动器。
6. 各类电池充电器及保护电路。
由于其高耐压能力和低导通电阻，该器件特别适合需要高效能与可靠性的高压开关应用场景。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP047N06L
