时间：2025/5/15 9:28:11
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STB15N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh K5技术制造，适用于高电压、高频开关应用。其额定耐压为800V，连续漏极电流可达15A（在25℃条件下），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及各种工业电子设备中。
STB15N80K5通过优化的单元结构设计，具有较低的导通电阻和并降低了损耗。此外，该器件还具备出色的热稳定性和可靠性，适合在严苛的工作环境下使用。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：3.6Ω
栅极电荷（典型值）：45nC
总栅极电荷（典型值）：79nC
输入电容（典型值）：2050pF
反向恢复时间：9μs
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 高额定电压（800V），适用于高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻和栅极电荷，可显著降低传导损耗和开关损耗。
3. 采用了MDmesh K5技术，提升了器件的效率和热性能。
4. 反向恢复时间短，有助于减少开关过程中的能量损失。
5. 广泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应多种恶劣工况。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
7. 具备良好的抗雪崩能力和静电防护能力，增强了产品的耐用性。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 太阳能逆变器
4. 不间断电源（UPS）
5. 工业自动化设备
6. LED照明驱动
7. 电动车及充电装置
8. 各类高频开关电路
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