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STB150NF55T4 发布时间 时间:2025/7/23 9:36:09 查看 阅读:4

STB150NF55T4 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道功率MOSFET,采用先进的StripFET技术,具备低导通电阻和高电流处理能力。该器件广泛应用于汽车、工业电源、电机控制以及能源管理系统等高功率场景。STB150NF55T4采用DPAK(TO-252)封装形式,具备优异的热管理和可靠性,适用于需要高效能和稳定性的设计需求。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):150A
  最大漏源电压(VDS):55V
  导通电阻(RDS(on)):7.5mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):240nC
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:DPAK(TO-252)

特性

STB150NF55T4 MOSFET的主要特性包括极低的导通电阻(RDS(on)),可显著降低导通损耗并提高系统效率。其先进的StripFET技术增强了器件的电流处理能力和热稳定性,同时提供了卓越的开关性能,适合高频应用。
  该器件具有高雪崩耐受能力,能够在瞬态条件下保持稳定运行,避免因过电压导致的损坏。此外,STB150NF55T4的封装设计优化了散热性能,使其在高功率负载下仍能维持较低的工作温度,从而提高整体系统的可靠性。
  由于其高耐压能力和优异的短路耐受性,该MOSFET适用于多种恶劣工作环境。此外,STB150NF55T4还具备良好的抗干扰能力和稳定的栅极控制特性,确保在复杂电磁环境中仍能正常运行。

应用

STB150NF55T4 主要应用于汽车电子系统(如电动助力转向系统、电池管理系统和车载充电器)、工业电机控制、直流-直流转换器、不间断电源(UPS)、储能系统以及新能源汽车相关设备。此外,该器件也可用于高功率负载开关、逆变器和功率因数校正电路等场合。

替代型号

STB150NF55T4 可以被 STB150NF55T4-TR、STB150NF55LZ、IRFP2907PBF、IXTQ150N55P、FDP150N55F 等型号替代,具体选择应根据电路设计需求和工作环境进行匹配验证。

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STB150NF55T4参数

  • 其它有关文件STB150NF55 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs190nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4400pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-7934-6