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STB11N65M5 发布时间 时间:2025/7/22 13:09:29 查看 阅读:6

STB11N65M5 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的MDmesh?技术,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,适用于高效能电源转换系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):11A
  漏极-源极击穿电压(VDS):650V
  导通电阻(RDS(on)):0.55Ω(最大值)
  栅极电荷(Qg):40nC
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220、D2PAK

特性

STB11N65M5 MOSFET采用了STMicroelectronics的MDmesh?技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,使其适用于高效率的电源转换系统。
  其650V的高击穿电压确保了在高电压应用中的稳定性和可靠性。低导通电阻(RDS(on))为0.55Ω,减少了在高电流下的功率损耗,提高了系统整体效率。
  此外,该MOSFET具有较强的热稳定性和耐用性,能够在高温环境下稳定运行。其快速开关特性使其非常适合用于高频开关电源(SMPS)和其他高要求的电力电子应用。
  TO-220和D2PAK封装设计提供了良好的散热性能,并且便于安装在散热器上,适合高功率密度的设计需求。STB11N65M5还具有较高的雪崩耐受能力,能够承受瞬时过压和过流,增强系统的可靠性。

应用

STB11N65M5主要应用于各种高功率开关电源(SMPS),如AC-DC转换器、DC-DC转换器以及电池充电器。
  它也广泛用于照明系统,如LED驱动器和电子镇流器,提供高效稳定的电源管理。
  此外,该器件适用于电机控制和工业自动化系统,在需要高效能功率开关的场合表现出色。由于其高击穿电压和低导通电阻,STB11N65M5还可用于新能源领域,如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。

替代型号

STB11N65M5的替代型号包括STB11N65M5AG、STP11NM65N和IPB11N65C4。

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STB11N65M5参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Mdmesh™ V
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C480 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds620pF @ 100V
  • 功率 - 最大85W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-13144-6