STB11N65M5 时间：2025/7/22 13:09:29 阅读：10

STB11N65M5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的MDmesh?技术，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，适用于高效能电源转换系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：11A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：650V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：40nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK

特性

STB11N65M5 MOSFET采用了STMicroelectronics的MDmesh?技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，使其适用于高效率的电源转换系统。
　　其650V的高击穿电压确保了在高电压应用中的稳定性和可靠性。低导通电阻（RDS(on)）为0.55Ω，减少了在高电流下的功率损耗，提高了系统整体效率。
　　此外，该MOSFET具有较强的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定运行。其快速开关特性使其非常适合用于高频开关电源（SMPS）和其他高要求的电力电子应用。
　　TO-220和D2PAK封装设计提供了良好的散热性能，并且便于安装在散热器上，适合高功率密度的设计需求。STB11N65M5还具有较高的雪崩耐受能力，能够承受瞬时过压和过流，增强系统的可靠性。

应用

STB11N65M5主要应用于各种高功率开关电源（SMPS），如AC-DC转换器、DC-DC转换器以及电池充电器。
　　它也广泛用于照明系统，如LED驱动器和电子镇流器，提供高效稳定的电源管理。
　　此外，该器件适用于电机控制和工业自动化系统，在需要高效能功率开关的场合表现出色。由于其高击穿电压和低导通电阻，STB11N65M5还可用于新能源领域，如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。