STB11N65M5 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的MDmesh?技术,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,适用于高效能电源转换系统。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):11A
漏极-源极击穿电压(VDS):650V
导通电阻(RDS(on)):0.55Ω(最大值)
栅极电荷(Qg):40nC
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220、D2PAK
STB11N65M5 MOSFET采用了STMicroelectronics的MDmesh?技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,使其适用于高效率的电源转换系统。
其650V的高击穿电压确保了在高电压应用中的稳定性和可靠性。低导通电阻(RDS(on))为0.55Ω,减少了在高电流下的功率损耗,提高了系统整体效率。
此外,该MOSFET具有较强的热稳定性和耐用性,能够在高温环境下稳定运行。其快速开关特性使其非常适合用于高频开关电源(SMPS)和其他高要求的电力电子应用。
TO-220和D2PAK封装设计提供了良好的散热性能,并且便于安装在散热器上,适合高功率密度的设计需求。STB11N65M5还具有较高的雪崩耐受能力,能够承受瞬时过压和过流,增强系统的可靠性。
STB11N65M5主要应用于各种高功率开关电源(SMPS),如AC-DC转换器、DC-DC转换器以及电池充电器。
它也广泛用于照明系统,如LED驱动器和电子镇流器,提供高效稳定的电源管理。
此外,该器件适用于电机控制和工业自动化系统,在需要高效能功率开关的场合表现出色。由于其高击穿电压和低导通电阻,STB11N65M5还可用于新能源领域,如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
STB11N65M5的替代型号包括STB11N65M5AG、STP11NM65N和IPB11N65C4。