时间：2025/8/5 23:01:34
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IXYP15N65C3D1M 是由 Littelfuse（原 IXYS 公司）生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，专为高电压和高效率应用设计。该器件采用先进的平面沟道技术，具有低导通电阻、高雪崩耐受能力和优异的热性能，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器以及电池管理系统等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：15 A
漏源电压（VDS）：650 V
栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：0.36 Ω @ VGS = 10 V
功耗（PD）：100 W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
IXYP15N65C3D1M 功率 MOSFET 采用了 IXYS 的先进平面技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能，适用于高电压开关应用。
该器件的导通电阻为 0.36 Ω，在 VGS = 10 V 时能有效降低导通损耗，提高系统效率。其最大漏源电压（VDS）可达 650 V，适合用于中高功率开关电源、AC-DC 和 DC-DC 转换器等应用。
该 MOSFET 内置了快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），有助于减少外部续流二极管的使用，简化电路设计并提高整体可靠性。该二极管具有较低的反向恢复时间（trr），从而减少开关损耗并降低电磁干扰（EMI）。
IXYP15N65C3D1M 的封装形式为 TO-220，具有良好的热管理能力，适合在高环境温度下稳定运行。此外，该器件具备良好的雪崩击穿耐受能力，能够承受瞬态过电压冲击，提高了系统的可靠性和耐用性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20 V，推荐使用 10 V 的栅极驱动电压以确保充分导通。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应多种工业环境应用需求。
IXYP15N65C3D1M 主要应用于高电压和中高功率场合，如开关电源（SMPS）、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制电路。
在开关电源中，该器件可作为主开关使用，提供高效能的功率转换。在电机控制和逆变器应用中，它能够承受频繁的开关操作和高负载电流，保证系统的稳定性。
此外，由于其内置快速恢复二极管，特别适用于需要续流功能的拓扑结构，如反激式和正激式变换器，减少了外围元件数量，提升了电路的集成度和可靠性。
STP15N65M5, FQA15N65C, FDP15N65S
