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IXGK50N60B2D1 发布时间 时间:2025/8/6 11:00:11 查看 阅读:20

IXGK50N60B2D1是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的高功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。该模块集成了两个IGBT芯片,具有50A额定电流和600V阻断电压能力,适用于各种高功率应用。

参数

类型:IGBT模块
  额定电流:50A
  额定电压:600V
  导通压降:典型值为1.7V(在25°C)
  最大工作温度:150°C
  封装类型:TO-247
  芯片数量:2个
  封装尺寸:TO-247-3
  短路耐受能力:5μs

特性

IXGK50N60B2D1具备高电流承载能力和低导通压降特性,使其在高功率密度应用中表现出色。其采用了先进的TrenchSTOP技术,提供出色的开关性能和低的导通损耗,同时具备良好的短路耐受能力,提高了系统的可靠性和稳定性。
  此外,该模块的封装设计优化了散热性能,确保在高负载条件下仍能保持较低的结温,延长了器件的使用寿命。其封装材料符合RoHS标准,满足环保要求。
  在开关特性方面,IXGK50N60B2D1具有快速的开关速度,能够减少开关损耗,提高系统效率。其栅极驱动电压范围较宽,通常为±20V,适用于各种驱动电路设计。

应用

IXGK50N60B2D1广泛应用于工业电机驱动、电动汽车充电系统、可再生能源逆变器、UPS(不间断电源)、电焊机以及高功率开关电源等领域。其高可靠性和优异的性能使其成为需要高效率和高稳定性的电力电子系统中的理想选择。

替代型号

FGA60N65SMD、SGW50N650DS、IXGK60N60B2D1、FF50U60S1_B11

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IXGK50N60B2D1参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™, Lightspeed 2™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2V @ 15V,40A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大400W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264AA
  • 包装管件