STA120D13TR 时间：2025/12/24 19:55:23 阅读：13

STA120D13TR 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管专为高电流和高功率应用而设计，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。STA120D13TR 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及工业自动化系统等领域。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（在 TC=25°C 时）
　　功耗（PD）：300W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.0045Ω（最大值，典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247

特性

STA120D13TR MOSFET 具有多种优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著减少了导通损耗，提高了系统效率。这对于电源转换器和电机控制应用尤为重要，因为它可以降低功耗并减少发热。
　　其次，该器件具有较高的额定电流能力（120A），能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度设计。此外，其 100V 的漏极-源极电压额定值使其适用于多种中高功率应用，如工业电源、电池管理系统和逆变器等。
　　STA120D13TR 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持灵活的驱动电路设计，并具有较高的抗干扰能力。
　　此外，该 MOSFET 的工作温度范围宽（-55°C 至 +175°C），适用于各种恶劣环境条件，如高温工业环境或汽车应用。其优异的热稳定性和可靠性使其成为高性能电源设计的理想选择。

应用

STA120D13TR 广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、工业电源模块以及太阳能逆变器等。此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS）中的高侧或低侧开关，以实现高效的充放电控制。
　　在汽车电子领域，STA120D13TR 可用于电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）的电源管理系统，提供高效率的功率切换功能。它也适用于 UPS（不间断电源）、服务器电源、电信设备电源等对效率和可靠性要求较高的场合。