时间：2025/12/25 8:55:04
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ST760145-2 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高压、高侧N沟道MOSFET驱动器集成电路，专为需要高耐压、高效率和高速开关的应用设计。该芯片采用高压BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺制造，具备出色的热稳定性和可靠性。ST760145-2主要用于驱动大功率N沟道MOSFET或IGBT，适用于诸如电源转换、电机控制、工业自动化和开关电源等应用场景。
封装类型：SO-16
工作电压范围：12V至600V
输出驱动电流：最高可达1.4A（典型值）
输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
工作温度范围：-40°C至+150°C
传播延迟时间：典型值为120ns
上升/下降时间：典型值分别为40ns和30ns
高侧浮动电压：最高可达600V
ST760145-2具备多项先进的技术特性，以确保在高电压和高功率应用中的稳定性和可靠性。
首先，该芯片采用了自举浮动电源技术，允许其驱动高侧N沟道MOSFET，适用于半桥、全桥和同步整流等拓扑结构。其高侧浮动电压可支持高达600V的电压范围，使其适用于多种高电压应用。
其次，该驱动器的输出驱动电流能力较强，最大可达1.4A，确保能够快速驱动大功率MOSFET或IGBT，从而降低开关损耗并提高系统效率。此外，芯片内部集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止器件在非理想条件下运行。
ST760145-2还具备良好的抗干扰能力，采用高dv/dt抗扰设计，有效防止因快速电压变化引起的误触发，确保系统稳定运行。同时，其输入端与TTL和CMOS逻辑电平兼容，方便与各种控制器（如MCU或DSP）连接。
此外，该IC具有较低的静态功耗，在待机或轻载条件下可有效减少能耗，提高系统能效。其封装形式为SO-16，符合工业标准，便于PCB布局和自动化生产。
综合来看，ST760145-2是一款高性能、高可靠性的高压MOSFET驱动器，适用于各种高功率、高电压的应用场合。
ST760145-2广泛应用于需要驱动高侧N沟道MOSFET或IGBT的电力电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动和逆变器控制系统。由于其高侧浮动电压可达600V，它特别适合用于功率因数校正（PFC）电路、半桥和全桥拓扑结构中的功率开关驱动。此外，该芯片还可用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、电动车充电器以及家电变频器等场合。由于其具备强大的驱动能力和良好的保护功能，ST760145-2在高性能电源管理和电机控制领域具有很高的实用价值。
STGAP1S, IR2110, FAN7380, L6384E
