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ST4V5FBN102 发布时间 时间:2025/7/5 1:42:21 查看 阅读:9

ST4V5FBN102 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于 STPOWER 系列的 N 沀道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供出色的开关性能和低导通电阻,适用于多种高效率电源转换场景。
  ST4V5FBN102 主要用于工业和消费类应用中,例如适配器、充电器、LED 驱动器以及 DC-DC 转换器等。其设计注重提高能效并减少发热,同时具备较高的可靠性和稳定性。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压 Vds:450 V
  最大栅源电压 Vgs:±20 V
  连续漏极电流 Id:7 A
  导通电阻 Rds(on):3.2 Ω(在典型条件下)
  总栅极电荷 Qg:38 nC
  输入电容 Ciss:3600 pF
  反向传输电容 Crss:290 pF
  输出电容 Coss:1200 pF
  工作温度范围:-55°C 至 175°C

特性

ST4V5FBN102 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速开关速度,可有效减少开关损耗。
  3. 较高的雪崩耐量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 内置保护功能,如过温保护和短路保护,确保长期运行的安全性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅封装。
  6. 支持表面贴装技术(SMD),简化了 PCB 设计与制造流程。
  7. 封装形式为 TO-Leadless (PowerFLAT? 5x6),节省空间且散热性能优异。

应用

ST4V5FBN102 的典型应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. LED 驱动电路,用于控制大功率 LED 照明。
  3. 电池充电器设计,提供高效稳定的电流调节。
  4. 各种 DC-DC 转换器模块,如降压或升压拓扑。
  5. 电机驱动和电子负载控制。
  6. 通信设备中的电源管理单元。
  7. 工业自动化设备中的功率级组件。

替代型号

STP45NF06L, IRFZ44N

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