时间：2025/4/3 11:02:23
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RF15N0R6A500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，属于增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件适用于高频和高效率的功率转换应用。其出色的开关性能和低导通电阻使其成为电源管理、射频放大器以及电信基础设施的理想选择。
该器件采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，并且在高频工作条件下能够保持较高的效率。
型号：RF15N0R6A500CT
类型：增强型 HEMT
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压（Vds）：650 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：15 mΩ
连续漏极电流（Id）：36 A
封装形式：TO-247-4L
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高效的功率转换能力，能够在高频条件下维持较低的开关损耗。
2. 极低的导通电阻（15 mΩ），有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度，支持高达数 MHz 的开关频率。
4. 内置过流保护功能，提高了系统的可靠性。
5. 高耐压能力（650 V），适合多种高压应用场景。
6. 良好的热性能，允许更高的功率密度和更小的系统设计。
这些特性使得 RF15N0R6A500CT 在高功率密度的应用中表现出色，例如数据中心电源、电动汽车充电设备和工业电源等。
1. 数据中心电源（DC/DC 转换器）
2. 太阳能逆变器
3. 电动车车载充电器（OBC）
4. 工业电机驱动
5. 不间断电源（UPS）
6. 射频功率放大器
由于其高效和高频性能，这款 GaN 器件非常适合需要高效率和小型化的功率转换解决方案。
RF15N0R6A400CT, RF15N0R6A600CT
