RF15N0R6A500CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件适用于高频和高效率的功率转换应用。其出色的开关性能和低导通电阻使其成为电源管理、射频放大器以及电信基础设施的理想选择。
该器件采用了先进的封装技术,具有良好的散热性能,并且在高频工作条件下能够保持较高的效率。
型号:RF15N0R6A500CT
类型:增强型 HEMT
材料:氮化镓(GaN)
最大漏源电压(Vds):650 V
最大栅源电压(Vgs):±20 V
导通电阻(Rds(on)):15 mΩ
连续漏极电流(Id):36 A
封装形式:TO-247-4L
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 高效的功率转换能力,能够在高频条件下维持较低的开关损耗。
2. 极低的导通电阻(15 mΩ),有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度,支持高达数 MHz 的开关频率。
4. 内置过流保护功能,提高了系统的可靠性。
5. 高耐压能力(650 V),适合多种高压应用场景。
6. 良好的热性能,允许更高的功率密度和更小的系统设计。
这些特性使得 RF15N0R6A500CT 在高功率密度的应用中表现出色,例如数据中心电源、电动汽车充电设备和工业电源等。
1. 数据中心电源(DC/DC 转换器)
2. 太阳能逆变器
3. 电动车车载充电器(OBC)
4. 工业电机驱动
5. 不间断电源(UPS)
6. 射频功率放大器
由于其高效和高频性能,这款 GaN 器件非常适合需要高效率和小型化的功率转换解决方案。
RF15N0R6A400CT, RF15N0R6A600CT