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RF15N0R6A500CT 发布时间 时间:2025/4/3 11:02:23 查看 阅读:5

RF15N0R6A500CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件适用于高频和高效率的功率转换应用。其出色的开关性能和低导通电阻使其成为电源管理、射频放大器以及电信基础设施的理想选择。
  该器件采用了先进的封装技术,具有良好的散热性能,并且在高频工作条件下能够保持较高的效率。

参数

型号:RF15N0R6A500CT
  类型:增强型 HEMT
  材料:氮化镓(GaN)
  最大漏源电压(Vds):650 V
  最大栅源电压(Vgs):±20 V
  导通电阻(Rds(on)):15 mΩ
  连续漏极电流(Id):36 A
  封装形式:TO-247-4L
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 高效的功率转换能力,能够在高频条件下维持较低的开关损耗。
  2. 极低的导通电阻(15 mΩ),有助于减少传导损耗。
  3. 快速开关速度,支持高达数 MHz 的开关频率。
  4. 内置过流保护功能,提高了系统的可靠性。
  5. 高耐压能力(650 V),适合多种高压应用场景。
  6. 良好的热性能,允许更高的功率密度和更小的系统设计。
  这些特性使得 RF15N0R6A500CT 在高功率密度的应用中表现出色,例如数据中心电源、电动汽车充电设备和工业电源等。

应用

1. 数据中心电源(DC/DC 转换器)
  2. 太阳能逆变器
  3. 电动车车载充电器(OBC)
  4. 工业电机驱动
  5. 不间断电源(UPS)
  6. 射频功率放大器
  由于其高效和高频性能,这款 GaN 器件非常适合需要高效率和小型化的功率转换解决方案。

替代型号

RF15N0R6A400CT, RF15N0R6A600CT

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RF15N0R6A500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.14614卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.6 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-