ST24FW21M6是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的射频(RF)功率晶体管,专为高频和高功率应用而设计。该器件采用先进的硅双极技术制造,能够在高频率下提供出色的功率放大性能。ST24FW21M6通常用于射频放大器、无线通信系统、广播设备以及测试与测量设备中。
类型:射频功率晶体管
技术:硅双极型(Si Bipolar)
封装类型:金属封装,通常为TO-240或类似封装
频率范围:高达1 GHz(典型应用范围)
输出功率:在1 GHz频率下可达21W(典型值)
工作电压:典型工作电压为28V
增益:典型增益为14dB(在1 GHz时)
效率:高功率附加效率(PAE)
工作温度范围:-55°C至+150°C
输入/输出阻抗:50Ω(典型)
ST24FW21M6具有多个关键特性,使其适用于高性能射频应用。首先,该器件能够在高达1 GHz的频率下提供高达21W的输出功率,适用于多种射频放大需求。其次,该晶体管具有较高的增益,典型值为14dB,能够有效放大输入信号,减少前端放大器的需求。此外,ST24FW21M6具有较高的功率附加效率(PAE),有助于降低功耗并减少散热需求,从而提高系统可靠性。其坚固的金属封装(如TO-240)提供了良好的热管理和机械稳定性,适合在恶劣环境中使用。该器件的工作温度范围广泛,可在-55°C至+150°C之间稳定运行,适用于工业和军事应用。最后,ST24FW21M6的输入和输出阻抗为50Ω,便于与标准射频系统匹配,简化了电路设计。
ST24FW21M6广泛应用于多个高性能射频系统中。在无线通信领域,它常用于基站、中继器和移动通信设备中的射频功率放大。在广播设备中,该晶体管可用于VHF和UHF频段的发射机,提供高效的信号放大。此外,ST24FW21M6还适用于测试与测量设备,如信号发生器和频谱分析仪,确保高精度和稳定性。在工业和军事应用中,该器件可用于雷达系统、电子对抗设备以及高可靠性通信设备。
ST24FW21M6的替代型号包括ST24FW21和ST24F21M6。