ST2302M 时间：2025/7/31 15:15:49 阅读：22

ST2302M是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET。这款器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及各种开关电源系统中。该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于中高功率应用场景。ST2302M采用TSSOP8封装，适合表面贴装工艺，具备良好的电气性能和机械稳定性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6.5A（在VGS=10V）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.5mΩ（在VGS=10V）
　　功耗（PD）：4.4W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TSSOP8

特性

ST2302M的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其RDS(on)在VGS=10V时最大为8.5mΩ，适用于高电流负载的应用。此外，该器件具备较高的栅极电压容限，最大可达±20V，提高了其在复杂电磁环境中的稳定性。
　　ST2302M采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在保持低导通电阻的同时具备较快的开关速度，从而减少开关损耗。这使其非常适合用于高频开关电源和PWM控制应用。
　　该MOSFET采用TSSOP8封装，具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间，适合高密度电路设计。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保了其在恶劣环境条件下的可靠性。
　　ST2302M还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护能力，适用于需要稳定性和可靠性的工业和汽车电子应用。

应用

ST2302M广泛应用于各种电源管理电路中，包括同步整流DC-DC降压/升压转换器、锂电池充电与保护电路、电机驱动电路、负载开关以及各种低电压高效率电源系统。
　　在DC-DC转换器中，ST2302M常用于高边或低边开关，其低RDS(on)特性有助于提高转换效率，特别是在低输出电压、大电流的应用中表现优异。此外，在便携式电子设备中，ST2302M可用于电池充放电管理电路，提供高效的能量传输路径。
　　在工业自动化和电机控制应用中，该器件可用于H桥驱动或PWM调速控制，其快速开关能力有助于提高响应速度和降低功耗。同时，其良好的热稳定性和封装散热性能使其适用于紧凑型高功率密度设计。