SKM200GAL162D是一款由SEMIKRON(赛米控)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于电力电子设备中。这款模块集成了IGBT芯片和反并联二极管,具备高效率和高可靠性的特点,适用于变频器、电机驱动、UPS(不间断电源)、逆变器等高功率应用场合。SKM200GAL162D采用了模块化封装设计,便于安装和散热,并具有良好的电气绝缘性能。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(VCES):1600V
额定集电极电流(IC):200A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
短路耐受能力:典型值为10μs
导通压降(VCEsat):约2.65V(典型值)
最大功耗(Ptot):300W
封装类型:模块化封装,带绝缘底板
安装方式:螺钉安装
绝缘等级:符合UL认证,爬电距离大于10mm
存储温度范围:-40°C 至 +125°C
SKM200GAL162D模块采用了先进的IGBT芯片技术,实现了低导通压降和低开关损耗的平衡,从而提高了整体系统效率。该模块内置反并联快速恢复二极管,适用于高频率开关应用,并具备良好的热稳定性。模块的封装设计优化了热管理和电气绝缘性能,确保在高功率密度应用中的可靠运行。此外,该模块具有较高的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击,提高了系统的稳定性和安全性。SKM200GAL162D还具有良好的抗湿热性能和机械强度,适用于各种恶劣的工作环境。
SKM200GAL162D主要应用于需要高功率和高可靠性的电力电子系统中,如工业变频器、伺服驱动器、电动汽车充电设备、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、UPS不间断电源以及电焊机和感应加热设备等。由于其优异的电气性能和热管理特性,该模块也常用于轨道交通和电机控制等高要求的场合。
SKM200GBL162D, SKM200GB162D