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WS15M2T 发布时间 时间:2025/7/3 13:49:14 查看 阅读:5

WS15M2T 是一款高性能的双路 MOSFET 驱动芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域。该芯片能够提供高电流输出以驱动 N 沟道或 P 沟道 MOSFET,并且具有快速响应和低功耗的特点。其设计支持宽电压输入范围,确保在多种应用场景下的稳定性和可靠性。

参数

工作电压:4.5V 至 30V
  驱动电流:峰值源电流 1.5A,峰值灌电流 2A
  传播延迟:典型值 60ns
  输入电容:最大 3nF
  静态电流:典型值 5mA
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃

特性

WS15M2T 具有以下主要特性:
  1. 支持双通道独立驱动,可以同时驱动两个 MOSFET。
  2. 内置自举二极管,简化了高压侧驱动电路的设计。
  3. 提供短路保护和过温保护功能,增强了系统的安全性。
  4. 超低传播延迟时间,适合高频开关应用。
  5. 输入兼容标准 CMOS 和 LVTTL 逻辑电平,便于与各种控制器接口。
  6. 小型封装,节省 PCB 空间,适用于紧凑型设计。

应用

WS15M2T 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率 MOSFET 驱动。
  2. DC-DC 转换器及同步整流电路。
  3. 电机驱动器,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
  4. 工业自动化设备中的电磁阀和继电器驱动。
  5. LED 驱动电路以及其他需要高效功率开关的应用场景。

替代型号

WS15M2S, IR2104, TI UCC27211

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