ST207EBPR 时间：2025/7/22 7:39:32 阅读：5

ST207EBPR 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高集成度、多功能的电力电子功率晶体管（Power MOSFET）驱动器芯片。该芯片专为高功率应用设计，常用于电机控制、电源转换、工业自动化系统和智能功率模块（IPM）等场景。ST207EBPR 采用先进的高压集成电路（HVIC）技术，能够有效地驱动高边（High-Side）和低边（Low-Side）功率MOSFET或IGBT器件，提供高效率和高可靠性的功率控制解决方案。

参数

封装类型：16引脚 SOIC
　　工作电压范围：10V 至 20V
　　高边浮动电压：最高可达 600V
　　输出电流能力：±350mA（典型值）
　　传播延迟时间：110ns（典型值）
　　输入逻辑电平兼容：TTL 和 CMOS 兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

ST207EBPR 具备多项关键特性，使其在高性能功率转换系统中表现出色。首先，该芯片集成了高边和低边驱动器，支持半桥结构应用，简化了电路设计并减少了外围元件数量。其高边浮动电源供电能力可达 600V，适用于多种高压应用场合。
　　其次，该驱动器具有较短的传播延迟时间（典型值为 110ns），确保了快速开关响应，从而提高了系统的整体效率和动态响应能力。此外，输出驱动能力为 ±350mA，能够有效驱动大功率MOSFET或IGBT，减少开关损耗。
　　ST207EBPR 还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在供电电压不足时误操作，提高了系统的稳定性和安全性。芯片内部集成的电平转换功能使得高边驱动器能够在高压环境下正常工作，而无需额外的隔离元件。
　　该芯片采用 16 引脚 SOIC 封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在工业环境和高温条件下使用。工作温度范围为 -40°C 至 +150°C，适用于各种严苛的应用场景。
　　此外，ST207EBPR 支持 TTL 和 CMOS 输入逻辑电平，增强了与多种控制电路（如微控制器、DSP 等）的兼容性，方便用户进行系统集成。

应用

ST207EBPR 广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于电机驱动器、变频器、逆变器、智能功率模块（IPM）、工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及电动汽车的电力控制系统。在电机控制领域，该芯片可作为半桥驱动器使用，用于控制三相无刷直流电机（BLDC）或永磁同步电机（PMSM）。在电源转换系统中，ST207EBPR 可用于驱动功率MOSFET或IGBT，实现高效能的DC-AC或DC-DC转换。此外，在智能功率模块中，该芯片可作为驱动级，与功率器件集成在一个模块中，提升整体系统的可靠性和集成度。