ST202EBDR 时间：2025/4/28 19:24:36 阅读：1

ST202EBDR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款双通道高压MOSFET驱动器。该芯片专为需要高效率和快速开关的应用而设计，适用于多种功率转换场景。
　　ST202EBDR能够提供较高的驱动电流，并具有良好的抗干扰能力，可有效驱动N沟道或P沟道的MOSFET和IGBT。其独特的架构使其非常适合于半桥拓扑结构中的上下管驱动应用。

参数

输入电压范围：12V至60V
　　峰值拉电流：1.5A
　　峰值灌电流：2A
　　传播延迟：45ns
　　通道间匹配延迟：15ns
　　工作温度范围：-40℃至125℃
　　封装形式：SO8

特性

ST202EBDR具备以下显著特性：
　　1. 高压隔离：两个通道之间具有足够的电气隔离，确保在高压环境下可靠运行。
　　2. 快速开关：极低的传播延迟和通道间匹配延迟，使得该芯片能够支持高频操作。
　　3. 强大的驱动能力：高达1.5A的峰值拉电流和2A的峰值灌电流，能够快速切换大容量的功率器件。
　　4. 内置保护功能：包括欠压锁定（UVLO）和过流限制，提高了系统的安全性和稳定性。
　　5. 低静态电流：有助于减少系统功耗，提升整体效率。
　　6. 宽工作电压范围：支持从12V到60V的输入电压，适应多种应用场景。

应用

ST202EBDR广泛应用于各种功率转换和电机驱动领域，具体包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：
　　 - 离线式AC/DC转换器
　　 - DC/DC转换器
　　2. 电机驱动：
　　 - 无刷直流电机（BLDC）控制
　　 - 步进电机驱动
　　3. 逆变器：
　　 - 光伏逆变器
　　 - UPS不间断电源
　　4. LED驱动器：
　　 - 高功率LED照明
　　此外，它还适用于任何需要高效驱动MOSFET或IGBT的场合。