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SI3867DV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/29 17:23:17 查看 阅读:11

SI3867DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合在高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等应用中使用。其封装形式为 Hot FET? PowerPAK? 8x8 封装,能够有效提高散热性能。
  该型号的额定电压为 30V,最大连续漏极电流可达 54A,非常适合需要高效功率转换和低损耗的应用场景。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):54A
  导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):95nC
  输入电容(Ciss):3120pF
  输出电容(Coss):280pF
  总热阻(θJA):20°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

SI3867DV-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),可以显著降低功率损耗。
  2. 高电流处理能力,最大支持 54A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,栅极电荷较低,有助于减少开关损耗。
  4. 宽广的工作温度范围,适应极端环境条件。
  5. 采用 PowerPAK 8x8 封装技术,具备良好的散热特性和紧凑的尺寸。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  这些特点使得 SI3867DV-T1-GE3 成为高效功率管理的理想选择,尤其是在要求高性能和高可靠性的工业及消费类电子领域。

应用

该 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 中的功率开关。
  2. 各种 DC-DC 转换器模块,例如降压或升压电路。
  3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 电池管理系统(BMS) 中的充放电路径控制。
  6. 工业自动化设备中的功率调节组件。
  由于其出色的电气性能和机械设计,SI3867DV-T1-GE3 在需要高效能和高稳定性的应用中表现出色。

替代型号

SI3867DP, SI3868DP

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SI3867DV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C51 毫欧 @ 5.1A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)