时间：2025/5/29 17:23:17
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SI3867DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合在高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等应用中使用。其封装形式为 Hot FET? PowerPAK? 8x8 封装，能够有效提高散热性能。
该型号的额定电压为 30V，最大连续漏极电流可达 54A，非常适合需要高效功率转换和低损耗的应用场景。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：54A
导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：95nC
输入电容(Ciss)：3120pF
输出电容(Coss)：280pF
总热阻(θJA)：20°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI3867DV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以显著降低功率损耗。
2. 高电流处理能力，最大支持 54A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，栅极电荷较低，有助于减少开关损耗。
4. 宽广的工作温度范围，适应极端环境条件。
5. 采用 PowerPAK 8x8 封装技术，具备良好的散热特性和紧凑的尺寸。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
这些特点使得 SI3867DV-T1-GE3 成为高效功率管理的理想选择，尤其是在要求高性能和高可靠性的工业及消费类电子领域。
该 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 中的功率开关。
2. 各种 DC-DC 转换器模块，例如降压或升压电路。
3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统(BMS) 中的充放电路径控制。
6. 工业自动化设备中的功率调节组件。
由于其出色的电气性能和机械设计，SI3867DV-T1-GE3 在需要高效能和高稳定性的应用中表现出色。
SI3867DP, SI3868DP
