时间：2025/5/10 16:07:41
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ST1G3234BBJR是意法半导体（STMicroelectronics）生产的MOSFET功率晶体管。该器件属于ST的MDmesh技术系列，采用DPAK7封装形式。它主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效率和低功耗的电力电子设备。
这款MOSFET具有较低的导通电阻和快速开关特性，能够显著提高电路效率并减少能量损耗。其额定电压为650V，适用于多种高压应用场景。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：19A
导通电阻（典型值）：280mΩ
栅极电荷（典型值）：25nC
总电容（输入电容）：1040pF
最大工作结温：175°C
封装类型：DPAK7
ST1G3234BBJR具有以下关键特性：
1. 高电压耐受能力，额定电压达到650V，适用于多种工业应用。
2. 极低的导通电阻，仅280mΩ（典型值），有助于降低导通损耗。
3. 快速开关性能，栅极电荷小至25nC，从而减少开关损耗。
4. 优化的热性能设计，适合在高温环境下运行，最高结温可达175°C。
5. MDmesh技术带来更高的单位面积电流密度和更优的电气性能。
6. 封装紧凑，便于PCB布局和安装，同时提供出色的散热能力。
ST1G3234BBJR广泛用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动控制电路中的功率级开关。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. LED照明驱动器中的功率管理部分。
6. 充电器和适配器设计中的核心功率器件。
由于其高可靠性和高效性能，ST1G3234BBJR成为众多工程师在设计高能效系统时的理想选择。
STP16NF65,
IRFB7440TRPBF,
FDP5700,
IXTH18N65L,
ST1G3234HBJR
