ST150X2是一款功率MOSFET,广泛应用于功率开关、电机控制、DC-DC转换器等高功率电子系统中。该器件由意法半导体(STMicroelectronics)制造,具有低导通电阻、高耐压和高电流能力等特性。ST150X2采用TO-247封装,适合高功率应用场合。
类型:功率MOSFET
封装类型:TO-247
漏极-源极击穿电压(Vds):200V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):150A
导通电阻(Rds(on)):约4.5mΩ
工作温度范围:-55°C至175°C
功率耗散(Ptot):300W
ST150X2具备多个高性能特性,包括极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力(200V)使其适用于多种高电压应用,而额定电流高达150A,支持高功率负载的驱动。此外,该器件的TO-247封装提供了良好的热管理和机械稳定性,确保在高功率工作条件下的可靠运行。ST150X2还具有快速开关特性,减少开关损耗,适用于高频操作环境。其栅极驱动电压范围宽(±20V),提高了控制的灵活性。
ST150X2适用于多种高功率电子系统,如工业电机控制、电动车功率系统、太阳能逆变器、DC-DC转换器以及各种高功率开关电路。它也可用于电源管理系统、电池充电器和不间断电源(UPS)设备中。由于其优异的导热性能和电气特性,该器件在要求高可靠性和高效率的应用中表现尤为出色。
ST150N20DK2AG
STP150N20D2AG
STP150N20D2K5AG