时间：2025/5/28 23:29:39
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DEA202450BT-2114F1BR是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用TO-263封装形式，具有低导通电阻和高电流承载能力，能够显著提升系统效率并降低功耗。
其设计目标是为需要高能效、高可靠性的应用提供解决方案，同时确保在各种恶劣工作条件下保持稳定性能。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：200A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷：125nC
总热阻（结到环境）：0.2°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
DEA202450BT-2114F1BR具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高额定电流能力，适用于大功率应用。
3. 优化的栅极电荷设计，可实现快速开关并降低开关损耗。
4. 紧凑的TO-263封装形式，便于布局和散热管理。
5. 广泛的工作温度范围，适合工业和汽车级应用环境。
6. 内置反向二极管，支持续流功能，进一步简化电路设计。
这款功率MOSFET适用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源中的主功率开关。
2. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
3. 负载切换模块，用于保护下游电路免受过流或短路影响。
4. 工业自动化设备中的功率控制单元。
5. 汽车电子系统中的高可靠性功率转换组件。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品中的功率管理部分。
IRF2807ZPBF, FDP22N50E, IXFN200N05T2
