DEA202450BT-2114F1BR是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用TO-263封装形式,具有低导通电阻和高电流承载能力,能够显著提升系统效率并降低功耗。
其设计目标是为需要高能效、高可靠性的应用提供解决方案,同时确保在各种恶劣工作条件下保持稳定性能。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:200A
导通电阻(典型值):1.4mΩ
栅极电荷:125nC
总热阻(结到环境):0.2°C/W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
DEA202450BT-2114F1BR具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高额定电流能力,适用于大功率应用。
3. 优化的栅极电荷设计,可实现快速开关并降低开关损耗。
4. 紧凑的TO-263封装形式,便于布局和散热管理。
5. 广泛的工作温度范围,适合工业和汽车级应用环境。
6. 内置反向二极管,支持续流功能,进一步简化电路设计。
这款功率MOSFET适用于多种领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源中的主功率开关。
2. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
3. 负载切换模块,用于保护下游电路免受过流或短路影响。
4. 工业自动化设备中的功率控制单元。
5. 汽车电子系统中的高可靠性功率转换组件。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品中的功率管理部分。
IRF2807ZPBF, FDP22N50E, IXFN200N05T2