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ST150-125T4MI 发布时间 时间:2025/8/7 10:35:18 查看 阅读:27

ST150-125T4MI是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率半导体器件,通常属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)或功率MOSFET模块类别。该型号适用于高功率、高频率应用,广泛用于工业控制、电源变换、电机驱动、可再生能源系统等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有良好的热稳定性和电气性能。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):150A
  封装类型:模块封装
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值)
  开关损耗(Eon/Eoff):依据测试条件而定
  绝缘等级:符合标准绝缘要求
  栅极驱动电压:±15V(推荐)

特性

ST150-125T4MI具备一系列高性能特性,适合高功率应用。首先,其1200V的集电极-发射极电压允许其在高压系统中稳定运行,如工业电机控制和电力转换设备。其次,150A的额定集电极电流使其能够处理大电流负载,适用于高功率密度的设计。该模块的封装设计提供了良好的散热性能,确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
  此外,该器件的导通压降较低,有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。同时,其开关损耗经过优化,使其在高频开关应用中表现优异,从而减少热量产生并提高能效。ST150-125T4MI还具有良好的短路耐受能力,能够在极端工况下提供更高的可靠性。
  该模块的栅极驱动电压推荐为±15V,确保IGBT在导通和关断状态之间快速切换,减少开关过程中的能量损耗。同时,其工作温度范围较宽,从-40°C到+150°C,适应各种恶劣环境条件。在实际应用中,该模块的高可靠性和稳定性使其成为工业变频器、伺服驱动器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器等设备的理想选择。

应用

ST150-125T4MI广泛应用于多个高功率电子系统中。在工业自动化领域,它常用于变频器、伺服驱动器和电机控制系统,以实现高效的能量转换和精确的电机控制。在电力电子领域,该模块可用于不间断电源(UPS)、逆变器和直流-交流转换器,以满足高可靠性和高效率的需求。
  此外,该器件在可再生能源系统中也具有重要地位,如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。在这些应用中,ST150-125T4MI能够高效地将直流电转换为交流电,并承受较大的电流和电压波动。其高耐压能力和良好的热稳定性使其能够在户外环境中长期运行。
  在轨道交通领域,该模块可用于牵引变流器和辅助电源系统,提供稳定的功率输出和高效的能量管理。同时,它也适用于电动汽车充电桩、储能系统等新兴领域,满足高功率充电和能量存储的需求。

替代型号

ST200-125T4MI, ST150-120T4MI

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