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ST1200C18K0L 发布时间 时间:2025/12/26 20:33:15 查看 阅读:17

ST1200C18K0L是一款由赛腾微电子(SaiTeng Microelectronics)推出的高性能、高集成度的车规级智能功率器件驱动芯片,广泛应用于汽车电子系统中的电机驱动和电源管理领域。该芯片集成了先进的栅极驱动技术与多重保护机制,专为驱动MOSFET、IGBT等功率开关器件而设计,适用于车载充电机(OBC)、DC-DC转换器、电动助力转向系统(EPS)、水泵/油泵电机控制等对可靠性和安全性要求极高的应用场景。ST1200C18K0L采用高耐压工艺制造,具备优异的抗干扰能力和温度稳定性,符合AEC-Q100车规认证标准,能够在-40°C至+125°C的工作温度范围内稳定运行。芯片内部集成了自举二极管、欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)、过温保护(OTP)以及故障反馈机制,提升了系统的安全性和鲁棒性。此外,其封装形式采用小型化、高散热效率的Power SOP或DFN类型,便于在空间受限的车载环境中布局安装。作为一款面向新能源汽车和智能化汽车电子架构的核心模拟芯片,ST1200C18K0L在提升系统效率、降低功耗和增强系统可靠性方面表现出色,是现代汽车电子控制系统中不可或缺的关键元器件之一。

参数

型号:ST1200C18K0L
  制造商:赛腾微电子(SaiTeng Microelectronics)
  器件类型:栅极驱动器IC
  通道类型:半桥驱动器
  输出电流(峰值):1.8A
  输入电压范围:4.5V ~ 18V
  驱动电压范围:最高支持200V
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  关断时间(典型值):35ns
  传播延迟:<100ns
  静态电流:<2mA
  封装形式:DFN-8 或 Power SOP-8
  符合标准:AEC-Q100 Grade 2

特性

ST1200C18K0L具备卓越的驱动性能与系统保护能力,其核心特性之一是集成了高边与低边半桥驱动结构,能够高效驱动高压侧和低压侧的功率MOSFET或IGBT,适用于高频开关应用。芯片采用自举供电技术,有效简化了外部电源设计,并通过内部集成的自举二极管减少外围元件数量,提高系统可靠性。
  在保护功能方面,该器件内置多重安全机制,包括逐周期过流保护(OCP),可通过外部检测电阻实时监控电流状态,在发生短路或过载时迅速关断输出,防止功率器件损坏;同时具备完善的欠压锁定(UVLO)功能,确保高低边驱动电路在电源电压未达到稳定工作阈值前保持关闭状态,避免因电压不足导致的误动作或直通现象。此外,芯片还集成了精确的温度监测单元,当结温超过设定阈值时触发过温保护(OTP),自动限制输出并发出故障报警信号,保障系统在异常工况下的安全运行。
  ST1200C18K0L具有出色的抗噪声能力,得益于优化的布局设计与差分信号处理技术,能够有效抑制dV/dt干扰,防止上下桥臂误导通。其快速的传播延迟匹配和窄脉冲抑制功能进一步提升了驱动精度与系统稳定性。芯片支持3.3V和5V逻辑电平输入兼容,便于与各类微控制器(MCU)或DSP直接接口,无需额外电平转换电路,降低了系统复杂度和成本。整体设计注重能效优化,静态功耗低,适合长时间运行的车载应用。

应用

ST1200C18K0L主要面向汽车电子领域的高可靠性功率驱动需求,广泛应用于新能源汽车及传统燃油车的多个关键子系统。在车载充电机(OBC)中,该芯片用于驱动PFC电路或LLC谐振变换器中的功率开关管,实现高效能量转换;在DC-DC转换器中,作为主功率级的驱动核心,支持双向升降压拓扑结构,满足不同电压等级之间的电能调配需求。
  在电动助力转向系统(EPS)中,ST1200C18K0L用于驱动三相半桥或全桥逆变电路,精确控制无刷直流电机(BLDC)或永磁同步电机(PMSM)的运转,提供平稳的方向盘助力体验。此外,该芯片也适用于车载空调压缩机、电子水泵、电子油泵等电动执行机构的电机控制模块,帮助提升整车能效与驾驶舒适性。
  由于其具备AEC-Q100车规认证和良好的EMI/EMC性能,ST1200C18K0L还可用于车身域控制器、智能配电单元、电池管理系统(BMS)中的预充与主驱回路控制等场景。随着汽车电动化、智能化趋势的发展,该芯片在ADAS传感器供电、激光雷达驱动、车载继电器控制等领域也展现出潜在的应用价值。其高集成度、小体积、高可靠性特点使其成为现代汽车电子架构中理想的功率驱动解决方案。

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ST1200C18K0L参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类SCR模块
  • 电流额定值1650 A
  • 开启状态 RMS 电流 (It RMS)3080 A
  • Non Repetitive On-State Current30500 A
  • 正向电流32000 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM1800 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)100 mA
  • 正向电压下降1.73 V
  • 保持电流(Ih 最大值)600 mA
  • 栅触发电压 (Vgt)3 V
  • 栅触发电流 (Igt)200 mA
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 安装风格Chassis
  • 封装 / 箱体Case A-24
  • 电路类型PCT
  • 最小工作温度- 40 C
  • 封装Bulk
  • 工厂包装数量2