ST1200C14K0P 时间：2025/12/26 21:01:11 阅读：12

ST1200C14K0P是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及开关电源等高效率功率转换场景。该器件属于STPOWER系列中的一员，采用先进的沟道栅极技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等特点。其封装形式为PowerFLAT 5x6-1，是一种紧凑型表面贴装封装，适用于空间受限但要求高效散热的应用环境。ST1200C14K0P的额定电压为120V，适合在中压功率应用中使用，并能在高温环境下保持稳定的性能表现。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品的设计需求。由于其优异的电气特性和可靠性，ST1200C14K0P常被用于工业控制、消费类电子产品、照明电源模块及电信设备中的功率开关电路。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，在瞬态过压或负载突变情况下仍能维持系统稳定运行。

参数

型号：ST1200C14K0P
　　制造商：STMicroelectronics
　　产品系列：STPOWER
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：120 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：48 A
　　连续漏极电流（ID）@100°C：32 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：190 A
　　导通电阻（RDS(on)）max @ VGS = 10 V：14 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）max @ VGS = 4.5 V：17 mΩ
　　栅极电荷（Qg）typ：65 nC @ 10 V
　　输入电容（Ciss）typ：3300 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：15 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：30 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +175 °C
　　封装/外壳：PowerFLAT 5x6-1

特性

ST1200C14K0P采用先进的沟道MOSFET工艺制造，具备极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS = 10V时最大仅为14mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效水平。该特性特别适用于大电流应用场景，如同步整流、电池管理系统和电机驱动电路，能够有效减少发热并提升系统可靠性。器件的高电流承载能力（在25°C下可达48A连续漏极电流）使其能够在高负载条件下稳定运行，同时其热阻特性优化良好，配合PowerFLAT 5x6-1封装提供的高效散热路径，可实现优异的热管理效果。
　　该器件具有快速开关响应能力，开启延迟时间约为15ns，关断延迟时间为30ns，结合较低的栅极电荷（典型值65nC），使得其在高频开关应用中表现出色，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源设计。低输入电容（Ciss典型值为3300pF）进一步减少了驱动电路所需的能量，降低了驱动损耗，有助于简化栅极驱动器的设计复杂度。
　　ST1200C14K0P具备宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C），可在极端温度环境下可靠运行，满足工业级和汽车级应用对环境适应性的严苛要求。其栅源电压额定值为±20V，具备较强的抗过压能力，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。此外，该器件通过了AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于车载电子系统中的功率控制模块。
　　PowerFLAT 5x6-1封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且底部带有裸露焊盘，便于与PCB的地平面进行大面积焊接以增强散热性能。这种封装支持回流焊工艺，兼容自动化生产流程，有利于提高制造效率和产品一致性。整体而言，ST1200C14K0P是一款高性能、高可靠性的中压N沟道MOSFET，适用于追求高效率、小尺寸和高功率密度的现代电力电子系统。

应用

ST1200C14K0P广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中作为主开关管或同步整流器使用；在DC-DC转换器中，可用于降压（Buck）、升压（Boost）或双向转换拓扑结构，凭借其低RDS(on)和快速开关特性实现高转换效率；在电机驱动领域，该器件可用于直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路中，提供高效的电流控制能力；此外，它也适用于电池供电系统中的电源管理单元，如电动工具、无人机和便携式储能设备中的充放电控制开关；在照明应用方面，可用于LED驱动电源中的功率调节部分；同时，由于其良好的热性能和高可靠性，也被用于工业自动化控制系统、PLC模块以及电信基础设施设备中的隔离式电源设计。