类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：190A（在 25°C 下）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤4.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220 或 DPAK

SKN3400 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体效率。其低 Rds(on) 特性使其非常适合用于高电流应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。该器件还具有高电流处理能力和高功率耗散能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。SKN3400 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4.5V 至 20V 之间工作，使其适用于多种栅极驱动电路设计。此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减少开关损耗并提高系统效率。TO-220 或 DPAK 封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中保持稳定的热管理。该器件还具备较高的耐用性和可靠性，适合在恶劣环境下运行。由于其出色的电气和热性能，SKN3400 被广泛用于电源管理和功率转换领域。

SKN3400 常用于高效率电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高功率密度应用的理想选择。该器件也适用于电池管理系统（BMS）、电机控制、逆变器和功率因数校正（PFC）电路。此外，SKN3400 还可用于工业自动化、通信设备和消费类电子产品中的电源管理模块。

IRF1404, Si4410DY, SKN500N60CP, IPB041N04N