型号：ST083S10PFP0
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：850V
　　最大漏极电流（ID）：8.3A
　　最大功耗（PD）：200W
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.95Ω，最大值1.1Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1450pF @ VDS=850V, VGS=0V
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值65nC @ VDS=850V, ID=4.15A
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-247

ST083S10PFP0采用超级结结构设计，显著降低了导通电阻与输出电容之间的乘积（RDS(on) × Coss），从而实现了更高的效率和更快的开关速度。这种结构通过交替排列的P型和N型柱状区域，优化了漂移区的电场分布，使得在维持高击穿电压的同时大幅减小了导通损耗。这对于高频开关电源尤为重要，因为低RDS(on)意味着更少的I2R损耗，而低Coss则减少了开关过程中的能量损耗，提升了转换效率。
　　该器件具备较低的栅极电荷（Qg），这直接降低了驱动电路所需的能量，使控制器可以使用较小的驱动电流即可实现快速开关，进而减少驱动损耗并提升系统响应速度。此外，较低的米勒电容（Crss）也有效抑制了开关过程中的寄生导通现象，提高了系统的稳定性与安全性。对于硬开关拓扑如PFC（功率因数校正）升压变换器或LLC谐振转换器，这些特性尤为关键。
　　ST083S10PFP0还具备优良的热性能，得益于TO-247封装的大面积金属背板，能够高效地将内部热量传导至散热器，防止局部过热导致的性能下降或失效。其宽泛的工作结温范围（最高可达150°C）使其适用于恶劣环境下的长时间连续运行。同时，该器件经过严格测试，具备较强的抗雪崩能力，能够在负载突变或短路情况下承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的可靠性和耐用性。
　　在制造工艺方面，Sterling Semiconductor采用了高纯度材料和精密掺杂控制技术，保证了产品的一致性和长期稳定性。每颗芯片都经过老化筛选和参数测试，确保出厂良率和性能达标。因此，ST083S10PFP0不仅适用于标准工业级电源模块，也可用于高端消费电子和电信基础设施设备中，满足严苛的应用需求。

ST083S10PFP0主要应用于各类高效率、高电压直流-直流转换器和交流-直流电源系统中。典型应用场景包括：通信基站电源、数据中心服务器电源、工业自动化设备的开关电源模块、高端LED照明驱动电源以及太阳能逆变器中的功率级电路。在这些系统中，它通常被用作主开关管或PFC（功率因数校正）升压开关管，承担高电压、大电流条件下的快速开关任务。
　　在连续导通模式（CCM）PFC电路中，ST083S10PFP0凭借其850V耐压和低RDS(on)特性，能够在输入电压波动较大的情况下稳定工作，同时减少导通损耗，提高整体能效。其快速开关能力也有助于降低EMI噪声，简化滤波电路设计。在LLC半桥或全桥谐振转换器中，该器件可作为初级侧开关使用，利用其低Qg和Coss特性实现零电压开通（ZVS），进一步提升转换效率并降低温升。
　　此外，该器件还可用于高压DC-DC变换器，例如48V转12V的中间母线转换器，或者在电池储能系统中作为隔离式双向变换器的一部分。其高耐压能力允许系统设计者在输入端留出足够的安全裕量，避免因电网波动或雷击感应电压造成器件击穿。在工业控制领域，诸如电机驱动器、UPS不间断电源和焊接设备中，ST083S10PFP0也能胜任高功率开关角色，提供稳定的动态响应和长久的使用寿命。
　　由于其TO-247封装易于安装散热片，并支持多种PCB布局方式（如垂直安装或卧式贴装），因此在不同结构形态的电源设计中均具备良好的适应性。结合其高可靠性与成熟的技术平台，ST083S10PFP0已成为许多工程师在开发高效节能电源方案时的优选器件之一。

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　　 "STP8NK85Z",
　　 "STP10NM85R",
　　 "FQP8N85",
　　 "APT8N85",
　　 "KSA850YTU"
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