时间：2025/12/25 11:15:09
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EDZTE6118B是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的表面贴装齐纳二极管，属于其高性能、高稳定性的齐纳二极管产品系列。该器件主要设计用于提供精确的电压参考和电路保护功能，在各类电子设备中发挥着重要作用。EDZTE6118B采用小型化SOD-523封装，具有体积小、重量轻、热阻低等优点，非常适合在空间受限的便携式电子产品中使用，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各种消费类电子模块。该齐纳二极管的核心功能是在反向击穿区域稳定工作，维持一个恒定的电压输出，从而为敏感电路提供过压保护或作为基准电压源。EDZTE6118B的标称齐纳电压为18V，允许一定的公差范围（通常为±5%），确保在不同工作条件下仍能保持良好的电压调节性能。其工作电流范围经过优化，能够在较低的电流下实现稳定的电压输出，同时具备较高的动态阻抗特性，有助于抑制电压波动。此外，该器件还具备优良的温度稳定性，其电压温度系数经过精心设计，能够在较宽的环境温度范围内保持输出电压的一致性，适用于工业控制、电源管理、信号调理等多种应用场景。
类型：齐纳二极管
封装：SOD-523
齐纳电压（Vz）：18V（标称值）
齐纳电压容差：±5%
最大耗散功率（Ptot）：200mW
最大正向电流（If）：100mA
反向漏电流（Ir）：≤ 1μA（典型值）
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
测试电流（Iz）：5mA
EDZTE6118B齐纳二极管具备多项优异的技术特性，使其在众多同类产品中脱颖而出。首先，它采用了先进的半导体制造工艺，确保了齐纳电压的高度一致性和长期稳定性。在标准测试条件（Iz = 5mA）下，其标称齐纳电压为18V，并且具有±5%的容差控制，这一精度足以满足大多数电压参考和稳压应用的需求。更重要的是，该器件在不同负载电流下的电压变化较小，表现出较低的动态阻抗，这有助于提升整个系统的电压调节能力。
其次，EDZTE6118B采用SOD-523小型表面贴装封装，尺寸仅为约1.0mm × 0.6mm × 0.45mm，极大节省了PCB布局空间，特别适合高密度集成的现代电子设备。该封装不仅具备良好的散热性能，还能承受回流焊等高温装配工艺，保证了焊接可靠性和生产良率。此外，器件的最大功耗为200mW，在适当的散热条件下可长时间稳定运行。
第三，该齐纳二极管具有出色的温度特性。其电压温度系数经过优化设计，在-55°C至+150°C的工作结温范围内，电压漂移较小，确保在极端环境条件下依然能够提供可靠的电压基准。这对于工业自动化、汽车电子和户外通信设备等对环境适应性要求较高的应用尤为重要。
最后，EDZTE6118B具备低反向漏电流特性，在未达到击穿电压前的漏电水平极低（通常小于1μA），有效减少了待机状态下的功耗，提升了整体能效。综合来看，这些特性使EDZTE6118B成为一款高性能、高可靠性的小信号齐纳二极管，广泛应用于精密模拟电路和数字系统中的电压箝位、基准源和ESD保护等场合。
EDZTE6118B齐纳二极管广泛应用于多种电子系统中，主要用于电压参考、过压保护和稳压电路。在便携式消费电子产品中，例如智能手机、平板电脑和智能手表，EDZTE6118B常被用作电源管理单元中的电压基准元件，为ADC、DAC或其他模拟前端电路提供稳定的参考电压。由于其SOD-523小型封装特性，非常适合高密度PCB布局需求。
在工业控制系统中，该器件可用于传感器信号调理电路，作为钳位元件防止输入信号超过安全范围，从而保护后续的放大器或微控制器免受损坏。同时，在PLC（可编程逻辑控制器）、数据采集模块和远程I/O设备中，EDZTE6118B也常用于电源轨的瞬态电压抑制，提高系统抗干扰能力和运行稳定性。
在通信设备领域，如路由器、交换机和光模块中，EDZTE6118B可用于接口电平转换电路中的电压限制，防止因静电放电（ESD）或浪涌电压导致芯片损坏。其快速响应特性和低漏电流表现，有助于提升通信链路的可靠性和信号完整性。
此外，在汽车电子系统中，尽管该器件并非专为AEC-Q101认证设计，但在非关键辅助电路中仍可用于电池管理系统（BMS）、车载信息娱乐系统或车内照明控制模块中的电压监测与稳压功能。
在通用电源适配器、充电器和DC-DC转换器中，EDZTE6118B也可作为反馈回路中的参考电压源，配合光耦实现输出电压的精确调节。综上所述，EDZTE6118B凭借其高精度、小尺寸和良好温度稳定性，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。
MZ2_18
ZMM18
BZX84-C18
