时间：2025/7/23 1:13:59
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ST062C 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高功率开关和电源管理领域。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.5mΩ（在VGS=10V时）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
ST062C 功率MOSFET具有多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，这对于高频开关电源和DC-DC转换器尤为重要。其次，该器件的高电流容量和耐压能力使其适用于高功率应用场景，如电机驱动、逆变器和电池管理系统。
此外，ST062C 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，能够有效散发高功率运行时产生的热量，确保器件在高温环境下仍能稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
ST062C 广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业电源、电机控制、电池管理系统、太阳能逆变器、DC-DC转换器、汽车电子系统（如电动车辆的电力驱动系统）以及高功率开关设备。其优异的电气性能和可靠性使其成为高功率密度设计的理想选择。
STP120N6F6AG, IRFP2907Z, IPP110N6N3G
