时间：2025/8/25 2:27:39
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SSW7N60B是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、电机控制以及其他需要高效能功率开关的场合。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性。SSW7N60B的漏源击穿电压为600V，适合中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大漏极电流(Id)：7A（连续）
导通电阻(Rds(on))：约1.2Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、TO-252等
SSW7N60B具有多项显著特性，包括高耐压能力、低导通电阻以及快速开关性能。其高耐压特性使其能够在高压环境下稳定工作，适用于各种电源转换系统。低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率，同时降低发热，延长器件寿命。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温条件下持续运行，增强了系统的可靠性。
该器件采用标准TO-220封装，具有良好的散热性能，便于安装和使用。其栅极驱动特性较为宽泛，兼容多种控制电路，方便集成到各种设计中。同时，SSW7N60B具备较高的短路耐受能力，提升了在异常工况下的安全性和稳定性。
SSW7N60B广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动、照明控制、UPS系统、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备等领域。其高压和中等电流能力使其在中小功率电源系统中表现出色，同时也适用于需要高效能功率开关的消费类电子产品和工业控制系统。
K2645, IRF740, FQA7N60C, STP7NK60Z
