型号：SDF07N65
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：7A
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：0.07Ω（典型值）
　　导通电阻（RDS(on)）最大值：0.095Ω @ VGS=10V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：260pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：<30ns
　　栅极电荷（Qg）：45nC @ VGS=10V
　　二极管正向压降（VSD）：1.2V @ IS=3.5A
　　最大功耗（PD）：125W @ TC=25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

SDF07N65的核心优势在于其采用的超结（Super Junction）技术，这一结构显著改善了传统MOSFET在高压应用中的“硅极限”问题，即在提高击穿电压的同时大幅降低导通电阻。这种技术通过交替排列P型和N型柱状区域，实现对漂移区电场的均匀分布，从而在保持高耐压能力的前提下，将RDS(on)降至接近理论最低值。这不仅减少了器件在导通状态下的功率损耗，也提高了整体系统的能源效率。
　　该器件具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），使其在高频开关应用中表现出色。由于Qg较小，驱动电路所需的能量更少，进而降低了驱动损耗并允许使用更简单的栅极驱动器设计。同时，低Coss意味着在开关过程中存储的能量更少，有助于减小关断损耗，特别适用于LLC谐振变换器、有源钳位反激式转换器等高效率拓扑结构。
　　SDF07N65还具备优异的热稳定性与可靠性。其TO-220封装具有良好的散热性能，可通过外接散热片进一步增强热管理能力。器件的最大结温可达150°C，并支持宽泛的工作温度范围，适用于严苛的工业环境。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，配合软恢复行为可减少电磁干扰（EMI），避免因反向恢复电流尖峰引起的应力损坏。
　　此外，该MOSFET通过了多项国际安全与可靠性认证，符合RoHS环保标准，并具备高抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下维持稳定运行。其稳健的设计使其在PFC（功率因数校正）升压电路中尤为适用，可在满载和轻载条件下均保持高效运行。综合来看，SDF07N65是一款兼顾高性能、高可靠性和高集成度的功率MOSFET，适合现代绿色能源和高效电源系统的设计需求。

SDF07N65广泛应用于各类需要高效率、高电压操作的电力电子设备中。首先，在AC-DC开关电源中，它常被用于主开关管或PFC（功率因数校正）升压开关，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升电源的整体转换效率，尤其适用于笔记本电脑适配器、手机充电器、电视电源模块等消费电子产品。
　　在LED照明驱动电源领域，SDF07N65可用于隔离式反激或非隔离式升降压拓扑中，作为主控开关元件。其稳定的高温性能和低损耗特性有助于延长灯具寿命，并满足节能标准要求。同时，在工业级LED路灯、隧道灯等大功率照明系统中，该器件能够承受长时间高负载运行，保障系统稳定性。
　　在工业电源和服务器电源系统中，SDF07N65常用于辅助电源、待机电源（standby power supply）以及DC-DC转换前级电路。其高耐压能力和良好的短路保护特性，使其能在复杂电磁环境中可靠工作。
　　此外，该器件也可用于太阳能微逆变器、小型电机驱动、UPS不间断电源以及家电变频控制模块中。特别是在PFC电路中，SDF07N65的低RDS(on)和高开关速度使其能够在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CRM）下高效运行，帮助系统达到IEC 61000-3-2等谐波电流限制标准。综上所述，SDF07N65是一款多功能、高适应性的高压MOSFET，适用于广泛的中等功率电源应用场景。

STF7N65M5
　　FQP7N65
　　KSB1293YTMTU
　　IPD7N65S
　　TK07A65Z